时间:2025/10/29 10:09:42
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E28F016SV-70是英特尔(Intel)推出的一款16兆位(Mbit)的并行接口闪存芯片,属于Intel StrataFlash架构系列。该器件采用先进的多层存储技术,能够在单个存储单元中存储多个比特信息,从而在不显著增加芯片物理尺寸的情况下提高存储密度。E28F016SV-70支持2字节(x16)数据宽度,适用于需要中等容量非易失性存储器的嵌入式系统应用。该芯片广泛应用于工业控制、网络设备、通信基础设施和消费类电子产品中,作为程序存储或固件存储使用。其封装形式通常为48引脚TSOP(Thin Small Outline Package)或48引脚FBGA,适合高密度PCB布局。尽管该产品已被列入停产(Obsolete)状态,但由于其稳定性和成熟的设计,仍在许多 legacy 系统中继续使用,并可通过授权分销商或库存渠道获取。
制造商:Intel
系列:StrataFlash
存储容量:16 Mbit
存储器类型:Flash
数据宽度:x16
工作电压:2.7V ~ 3.6V
读取访问时间:70ns
接口类型:并行
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装类型:48-TSOP
E28F016SV-70具备多项关键特性,使其在嵌入式非易失性存储领域具有重要地位。首先,该芯片采用了Intel独有的StrataFlash技术,允许每个存储单元存储多个比特数据,显著提升了存储密度和成本效益。与传统NOR Flash相比,在相同硅片面积下可实现更高的容量输出,同时保持良好的读写性能和可靠性。
其次,E28F016SV-70支持高速70ns的读取访问时间,满足大多数实时嵌入式系统对快速启动和程序执行的需求。其并行接口设计提供了较高的数据吞吐能力,适合用于直接连接微处理器或微控制器进行XIP(eXecute In Place)操作,即代码可在Flash中直接执行而无需加载到RAM,节省系统资源并提升响应速度。
该器件具备低功耗运行特性,在正常工作模式下电流消耗较低,同时支持多种省电模式(如待机模式),有助于延长电池供电设备的续航时间。此外,它还集成了内部写状态控制器(Write State Machine),简化了编程和擦除操作,用户只需通过标准命令接口即可完成复杂的写入流程,降低软件开发难度。
E28F016SV-70具有出色的耐久性和数据保持能力,典型情况下可支持10万次编程/擦除周期,数据保存时间可达10年以上,适用于长期运行且不易更换的工业和通信设备。其工作温度范围覆盖工业级标准(-40°C至+85°C),确保在恶劣环境下的稳定运行。
最后,该芯片内置了多种保护机制,包括软件数据锁定、块锁定功能以及硬件写保护选项,防止意外擦除或修改关键固件内容,增强系统的安全性和稳定性。虽然目前该型号已停产,但其成熟的技术方案仍被后续兼容产品继承发展。
E28F016SV-70主要应用于需要可靠、高性能非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括网络路由器、交换机和基站等通信设备中的固件存储,用于存放操作系统、配置文件和启动代码,支持快速上电启动和远程固件升级。在工业自动化领域,该芯片常被用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和工控机中,存储控制程序和参数设置,适应宽温、强干扰的工作环境。此外,在消费类电子产品如机顶盒、打印机、POS终端中,也广泛采用该器件进行应用程序存储。由于其支持XIP执行模式,特别适合MCU或DSP直接从Flash运行代码的应用架构。在汽车电子中,部分车载信息娱乐系统和车身控制模块也曾使用该芯片作为辅助存储介质。尽管当前新型设计更多转向SPI NOR Flash或eMMC等小型化接口器件,但在维护和替换老旧系统时,E28F016SV-70仍是重要的参考型号。