时间：2025/12/26 17:04:00
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E28F016SA-150是一款由英特尔（Intel）生产的并行接口闪存芯片，属于Intel StrataFlash家族中的一员。该器件采用先进的多级单元（MLC）技术，能够在单个存储单元中存储多个比特信息，从而提高存储密度并降低成本。E28F016SA-150的存储容量为16兆位（即2MB），组织形式为2,097,152字节，适用于需要非易失性、高可靠性和中等存储容量的应用场景。这款芯片广泛应用于工业控制、通信设备、网络基础设施以及嵌入式系统中，用于固件存储、配置数据保存和引导代码管理。其设计支持在系统编程（ISP）和在应用编程（IAP），允许用户在不移除芯片的情况下进行程序更新，提升了系统的可维护性和灵活性。此外，该器件具备良好的耐久性和数据保持能力，典型擦写次数可达10万次以上，数据保存时间超过100年，在恶劣环境下仍能稳定工作。封装形式为48引脚TSOP（薄型小外形封装），符合行业标准，便于PCB布局与自动化装配。E28F016SA-150的工作电压范围通常为3.0V至3.6V，兼容低功耗系统设计，并内置电荷泵电路以实现内部编程/擦除所需的高压生成。
型号：E28F016SA-150
制造商：Intel
存储容量：16 Mbit (2 MB)
组织结构：1 x 16 Mbit
工艺技术：StrataFlash MLC
供电电压：3.0V ~ 3.6V
访问时间：150ns
接口类型：并行异步接口
封装形式：48-pin TSOP Type II
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
编程电压：内部电荷泵生成
擦除方式：扇区擦除、块擦除、整片擦除
I/O电压：兼容3.3V TTL/CMOS
E28F016SA-150具备多项先进特性，使其成为工业与通信领域中理想的非易失性存储解决方案。首先，它采用了Intel专有的StrataFlash技术，结合了NOR Flash的快速随机访问能力和多级单元（MLC）的高密度优势，在保证性能的同时显著提升了存储效率。这种架构使得芯片既能支持XIP（就地执行）功能，允许处理器直接从闪存中运行代码，又能在有限空间内提供更大的存储容量。
其次，该器件具有高度灵活的擦除机制，支持按扇区（如4KB）、按块或整片擦除，方便用户根据实际需求进行精细的数据管理。配合硬件写保护功能和软件数据保护算法，E28F016SA-150能有效防止误擦写和病毒攻击，提升系统安全性。此外，芯片内置状态机控制编程与擦除操作，简化了外部控制器的设计复杂度，降低了系统开发难度。
在可靠性方面，E28F016SA-150表现出色。其典型的编程/擦除周期可达100,000次以上，远超一般消费类闪存产品；数据保持时间长达100年以上，即使在极端温度条件下也能维持数据完整性。同时，器件通过了严格的工业级认证，可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定运行，适用于严苛的工业环境。
另外，该芯片支持低功耗模式，包括待机模式和深度掉电模式，能够大幅降低静态电流消耗，适合对能耗敏感的应用场合。其150纳秒的访问时间确保了较快的读取速度，满足多数实时系统的响应要求。整体而言，E28F016SA-150是一款集高性能、高可靠性与高集成度于一体的工业级闪存器件。
E28F016SA-150广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。常见用途包括网络路由器、交换机和基站设备中的固件存储，因其支持XIP特性，可让系统直接从闪存启动并运行操作系统或协议栈代码，减少对外部RAM的依赖。
在工业自动化领域，该芯片常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程终端单元（RTU）中，用于保存配置参数、用户程序和校准数据。由于其具备出色的温度适应性和抗干扰能力，特别适合部署在工厂车间、电力系统或户外环境中。
此外，E28F016SA-150也适用于医疗设备、测试仪器和航空电子设备等对数据完整性和长期稳定性要求较高的行业。例如，在医疗成像设备中可用于存储启动代码和设备校准表；在通信模块中则作为Boot ROM使用，确保存储在其中的关键引导程序不会因断电而丢失。
随着老旧工业设备的维护需求增加，尽管该型号已逐步进入停产阶段，但仍有不少客户基于原有设计继续采购该器件用于备件替换或系统升级。因此，E28F016SA-150在售后维修市场和替代方案评估中依然具有重要地位。
S29GL032N90TFI400
MT28EW016ADA-150
