类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：68A
　　导通电阻(Rds(on))：最大42mΩ
　　功率耗散(Pd)：310W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-247

IXTH68N20 MOSFET 具备多项出色的电气和热性能特征。其最大漏源电压为200V，能够承受较高的工作电压，适用于多种中高压电源转换系统。该器件的最大连续漏极电流为68A，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
　　该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）最大仅为42mΩ，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，其高功率耗散能力（310W）使其在高电流应用中仍能保持良好的热稳定性。
　　IXTH68N20 还具备良好的栅极稳定性，其最大栅源电压为±20V，避免因栅极过压而造成损坏。器件的TO-247封装结构有助于良好的散热设计，适用于高密度功率电路布局。
　　该MOSFET在高频开关应用中表现出色，具有快速的开关速度和较低的开关损耗，适合用于开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器和不间断电源（UPS）等应用。此外，其宽广的工作温度范围（-55°C 至 150°C）确保在各种环境条件下都能保持稳定运行。

IXTH68N20 广泛应用于多种高功率电子系统中，特别是在需要高效、高速开关性能的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、UPS（不间断电源）、电机驱动控制器以及工业自动化设备中的功率控制单元。
　　在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风能转换系统中，IXTH68N20 被用作关键的功率开关元件，以实现高效的能量转换。同时，该MOSFET也适用于电焊机、电镀设备和高频感应加热等高功率密度应用。
　　由于其高耐压能力和低导通电阻特性，IXTH68N20 还可用于电池管理系统（BMS）中的高电流开关控制，以及电动汽车（EV）充电系统中的功率调节模块。

IXTH68N20XV, IXFH68N20P, IXFN68N20T, IRFP4668