型号：E28F001BXB150
　　制造商：Intel
　　存储容量：1 Mbit (128 K × 8 bits)
　　接口类型：并行接口
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：150 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装形式：32-pin PLCC
　　读取电流：典型值 25 mA
　　待机电流：典型值 100 μA
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　擦除周期：10,000 次以上
　　数据保持时间：10 年以上
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

E28F001BXB150具备多项关键特性，使其在当时的嵌入式系统设计中广受欢迎。首先，其采用的单电源5V供电设计极大简化了系统电源架构，无需额外提供高电压编程电源，所有编程和擦除操作均通过内部电荷泵完成，这不仅降低了外部电路复杂度，也提升了整体系统的可靠性。其次，该芯片支持快速读取能力，150ns的访问时间足以匹配当时主流的8位和16位微处理器总线速度，确保系统启动和程序运行的流畅性。其命令寄存器接口允许用户通过标准写操作发送特定指令序列（如解锁、编程、扇区擦除、芯片擦除和状态查询），从而实现灵活的存储管理。这种基于软件协议的操作方式有效防止了因地址总线噪声或错误写信号引发的误擦写问题。
　　另一个重要特性是其具备多级数据保护机制。除了硬件级的Vpp检测外，还引入了软件保护锁功能，可通过命令设置防止未经授权的写入或擦除操作。当进入保护模式后，任何试图修改存储内容的操作都将被忽略，直到通过专用命令解除锁定。这一机制对于存放BIOS、引导代码或其他关键固件尤为重要，有助于提升系统安全性和稳定性。
　　此外，E28F001BXB150支持按扇区进行擦除（通常分为多个块，包括一个或多个小扇区用于存放配置参数），允许局部更新而不影响其余数据，显著提高了存储利用率和更新效率。每个扇区可承受至少1万次的擦写循环，满足大多数工业应用的寿命需求。同时，器件具备良好的环境适应性，可在0°C至+70°C的商业级温度范围内稳定工作，并保证长达10年以上的数据保持能力，适用于长期部署且不易维护的设备。尽管当前已逐步被更高密度、更低功耗的串行闪存替代，但其稳定的性能和成熟的生态仍使其在老旧系统维护、备件替换等领域保持一定应用价值。

E28F001BXB150主要应用于需要可靠非易失性存储的各种工业与通信设备中。常见用途包括作为嵌入式系统的程序存储器，用于存放固件、操作系统引导代码（Bootloader）、设备驱动程序等关键信息。在许多老式的工控机、PLC控制器、人机界面（HMI）设备中，该芯片被用来存储用户配置参数和运行逻辑，因其具备较强的抗干扰能力和长期数据保持特性，能够在频繁启停和恶劣环境下正常工作。
　　在网络通信领域，该器件曾广泛用于路由器、交换机和调制解调器中作为固件存储介质，支持远程升级和本地调试功能。由于其并行接口结构，可以实现较快的代码加载速度，有利于缩短设备启动时间。此外，在POS终端、医疗仪器、测试测量设备以及汽车电子控制系统中也有应用实例，尤其适用于那些尚未向串行Flash迁移的旧平台。
　　由于其支持字节级编程和扇区擦除功能，E28F001BXB150也非常适合需要频繁更新部分数据但又必须保留其他内容的应用场景。例如，在现场可编程设备中，可用于动态保存校准数据、运行日志或用户设置。同时，该芯片兼容JEDEC标准的引脚排列和命令集，便于与其他厂商的同类产品进行互换或系统移植，增强了设计的灵活性。虽然目前已不再作为新设计方案的首选，但在系统维护、备件更换和逆向工程中仍然具有实际意义。

E28F001BXB120
　　E28F001BXB200
　　AM29F001NT
　　SST39SF010A