BSC060P03NS3EG 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TRENCHSTOP? 技术,具有较低的导通电阻和较高的效率,适用于多种开关应用。其封装形式为 DPAK (TO-252),适合表面贴装工艺。
该器件的主要特点是高电流处理能力、低导通损耗以及出色的热性能,使其非常适合于要求高效率和高可靠性的电源管理设计。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:41A
导通电阻(典型值):2.8mΩ
栅极电荷(典型值):79nC
输入电容(典型值):1800pF
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:DPAK (TO-252)
BSC060P03NS3EG 的主要特性包括:
1. 超低导通电阻:在典型条件下,导通电阻仅为 2.8mΩ,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
2. 高电流承载能力:可支持高达 41A 的连续漏极电流,满足大功率应用场景的需求。
3. 快速开关性能:栅极电荷较小(79nC),能够实现快速开关,减少开关损耗。
4. 宽温度范围:工作结温范围从 -55℃ 到 +175℃,适应各种极端环境条件。
5. 表面贴装封装:采用 DPAK 封装形式,便于自动化生产和安装,同时具备良好的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准:材料环保,适合绿色设计需求。
BSC060P03NS3EG 的这些特点使得它在高效率电源转换、电机驱动以及其他需要高性能功率开关的应用中表现出色。
BSC060P03NS3EG 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):如适配器、充电器等,提供高效能的功率转换。
2. DC-DC 转换器:用于汽车电子、工业控制等领域中的直流电压调节。
3. 电机驱动:适用于无刷直流电机(BLDC)驱动和其他类型的电机控制。
4. 电池保护:用于防止过流或短路情况下的电池损坏。
5. 照明系统:例如 LED 驱动电路,提供稳定的电流输出以确保照明效果。
由于其出色的电气特性和可靠性,BSC060P03NS3EG 成为许多高功率密度应用的理想选择。
BSC060P03NS3L, IRFZ44N, FDP068N06L