E-STLC2500CTR 时间：2025/4/30 17:33:06 阅读：20

E-STLC2500CTR是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适合于高频开关应用。其主要用途包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。
　　这款芯片以其出色的电气性能和可靠性著称，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。

参数

型号：E-STLC2500CTR
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　工作电压(Vds)：30V
　　持续漏极电流(Id)：17A
　　导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
　　栅极电荷(Qg)：19nC
　　功耗(PD)：80W
　　封装形式：TO-220FP
　　工作温度范围：-55°C to +175°C

特性

E-STLC2500CTR具备以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为4.5mΩ，有助于减少导通损耗。
　　2. 高速开关能力，得益于较小的栅极电荷（Qg为19nC），适用于高频应用。
　　3. 大电流承载能力，额定漏极电流高达17A。
　　4. 耐压等级为30V，适合低压系统中的高效能量转换。
　　5. 工作温度范围广（-55°C到+175°C），能够在极端环境下稳定运行。
　　6. TO-220FP封装设计，便于散热且易于安装在PCB板上。

应用

E-STLC2500CTR广泛应用于各种需要高效功率管理的场合：
　　1. 开关模式电源(SMPS)，例如适配器、充电器等。
　　2. DC-DC转换器，用于汽车电子或工业设备中。
　　3. 电机驱动控制电路，支持家用电器、电动工具中的电机运行。
　　4. 负载开关，用以实现快速开启与关闭功能。
　　5. 电池保护电路，防止过流或短路情况发生。
　　6. 可再生能源领域，如太阳能逆变器中的功率调节单元。