RVQ040N05TR 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 Vishay 公司生产。该器件采用微型封装,非常适合用于便携式设备和空间受限的应用场景。其低导通电阻和高开关速度特性使其成为高效功率转换的理想选择。
型号:RVQ040N05TR
类型:N 沟道 MOSFET
VDS(漏源极电压):50 V
RDS(on)(导通电阻):40 mΩ(典型值,在 VGS = 4.5V 时)
IDS(持续漏极电流):3.1 A
VGS(栅源极电压):±20 V
功耗:0.68 W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:SOT-23
RVQ040N05TR 提供了低导通电阻以减少传导损耗,并且具有快速的开关能力以提高效率。
其小型 SOT-23 封装使得它非常适合于空间有限的设计。
此外,该 MOSFET 的高雪崩能力和坚固耐用性确保了在恶劣条件下的可靠运行。
由于采用了 Vishay 的先进制造工艺,该器件能够在较高的结温下工作,从而延长使用寿命。
同时,其低栅极电荷和输入电容也进一步提升了动态性能。
RVQ040N05TR 广泛应用于各种电子电路中,例如 DC/DC 转换器、负载开关、电池保护电路、电机驱动以及 LED 驱动等。
它的低导通电阻和小尺寸特点特别适合便携式消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器以及其他需要高效电源管理的设备。
此外,它还可以用作同步整流器或功率级开关,在电信和网络设备中发挥重要作用。
IRLML6402,
FDS6670,
BSS138