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RVQ040N05TR 发布时间 时间:2025/7/1 19:49:27 查看 阅读:8

RVQ040N05TR 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 Vishay 公司生产。该器件采用微型封装,非常适合用于便携式设备和空间受限的应用场景。其低导通电阻和高开关速度特性使其成为高效功率转换的理想选择。

参数

型号:RVQ040N05TR
  类型:N 沟道 MOSFET
  VDS(漏源极电压):50 V
  RDS(on)(导通电阻):40 mΩ(典型值,在 VGS = 4.5V 时)
  IDS(持续漏极电流):3.1 A
  VGS(栅源极电压):±20 V
  功耗:0.68 W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:SOT-23

特性

RVQ040N05TR 提供了低导通电阻以减少传导损耗,并且具有快速的开关能力以提高效率。
  其小型 SOT-23 封装使得它非常适合于空间有限的设计。
  此外,该 MOSFET 的高雪崩能力和坚固耐用性确保了在恶劣条件下的可靠运行。
  由于采用了 Vishay 的先进制造工艺,该器件能够在较高的结温下工作,从而延长使用寿命。
  同时,其低栅极电荷和输入电容也进一步提升了动态性能。

应用

RVQ040N05TR 广泛应用于各种电子电路中,例如 DC/DC 转换器、负载开关、电池保护电路、电机驱动以及 LED 驱动等。
  它的低导通电阻和小尺寸特点特别适合便携式消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器以及其他需要高效电源管理的设备。
  此外,它还可以用作同步整流器或功率级开关,在电信和网络设备中发挥重要作用。

替代型号

IRLML6402,
  FDS6670,
  BSS138

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RVQ040N05TR参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)45V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C53 毫欧 @ 4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.8nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds530pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商设备封装TSMT6
  • 包装带卷 (TR)