时间：2025/7/1 19:49:27
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RVQ040N05TR 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Vishay 公司生产。该器件采用微型封装，非常适合用于便携式设备和空间受限的应用场景。其低导通电阻和高开关速度特性使其成为高效功率转换的理想选择。
型号：RVQ040N05TR
类型：N 沟道 MOSFET
VDS（漏源极电压）：50 V
RDS(on)（导通电阻）：40 mΩ（典型值，在 VGS = 4.5V 时）
IDS（持续漏极电流）：3.1 A
VGS（栅源极电压）：±20 V
功耗：0.68 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：SOT-23
RVQ040N05TR 提供了低导通电阻以减少传导损耗，并且具有快速的开关能力以提高效率。
其小型 SOT-23 封装使得它非常适合于空间有限的设计。
此外，该 MOSFET 的高雪崩能力和坚固耐用性确保了在恶劣条件下的可靠运行。
由于采用了 Vishay 的先进制造工艺，该器件能够在较高的结温下工作，从而延长使用寿命。
同时，其低栅极电荷和输入电容也进一步提升了动态性能。
RVQ040N05TR 广泛应用于各种电子电路中，例如 DC/DC 转换器、负载开关、电池保护电路、电机驱动以及 LED 驱动等。
它的低导通电阻和小尺寸特点特别适合便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器以及其他需要高效电源管理的设备。
此外，它还可以用作同步整流器或功率级开关，在电信和网络设备中发挥重要作用。
IRLML6402,
FDS6670,
BSS138
