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DZT658-13 发布时间 时间:2025/7/11 21:18:09 查看 阅读:9

DZT658-13是一种高性能的双极性晶体管,主要用于高频和高功率放大应用。它具有出色的增益特性和低噪声性能,适用于射频(RF)和微波电路设计。
  该晶体管采用先进的制造工艺,确保其在高温和高压环境下的稳定运行。其优异的电气特性和可靠性使其成为通信设备、雷达系统和其他高性能电子系统中的理想选择。

参数

集电极-发射极电压:50V
  集电极电流:15A
  功率增益:20dB
  最大耗散功率:120W
  特征频率(fT):4GHz
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

DZT658-13的主要特性包括:
  1. 高功率处理能力,能够承受高达120W的耗散功率。
  2. 优秀的增益性能,在高频条件下仍能保持较高的功率增益。
  3. 宽广的工作温度范围,适应各种极端环境条件。
  4. 稳定的电气性能,适合长时间连续运行。
  5. 低噪声系数,保证信号传输的高保真度。
  6. 小型化封装设计,便于集成到紧凑型电路中。

应用

DZT658-13广泛应用于以下领域:
  1. 射频和微波放大器,用于提高信号强度。
  2. 无线通信设备,如基站和卫星通信系统。
  3. 雷达系统,提供高精度的目标检测和跟踪功能。
  4. 医疗设备,例如超声波和核磁共振成像装置。
  5. 工业控制设备,用于高频信号处理和控制任务。
  6. 测试与测量仪器,确保精确的数据采集和分析。

替代型号

DZT658-12,DZT659-13

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DZT658-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)400V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 10mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 200mA,10V
  • 功率 - 最大1W
  • 频率 - 转换50MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DZT658-13-NDDZT658DITR