类型：P沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-4A（在25°C时）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大为350mΩ（在VGS = -10V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-223

2SJ130STR 的主要特性包括低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件在高电压和高电流条件下表现出良好的稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作。此外，2SJ130STR 的SOT-223封装设计具有良好的散热性能，适用于需要紧凑布局的电路设计。
　　这款MOSFET具有快速开关特性，适合用于高频开关应用，例如DC-DC转换器和同步整流器。此外，2SJ130STR 还具有较高的耐用性和较长的使用寿命，适合在工业控制、消费类电子和汽车电子等环境中使用。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从-10V到+10V的操作，这使其能够与多种控制电路兼容。同时，2SJ130STR 具有较强的抗静电能力和过热保护功能，能够有效防止在操作过程中因静电放电或过热而损坏。

2SJ130STR 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统以及消费类电子产品中的电源管理模块。此外，它也适用于LED照明驱动电路、逆变器和各种类型的电子负载控制电路。
　　在工业自动化和控制系统中，2SJ130STR 可用于继电器替代、电感负载控制和固态开关应用。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电源管理系统和车灯控制电路等场景。

2SJ130STR 可以被2SJ129、2SJ176、2SJ177等型号替代，具体选择应根据实际应用需求和电气参数进行匹配。