您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DZT5551-13

DZT5551-13 发布时间 时间:2023/2/25 16:16:41 查看 阅读:251

    制造商:DiodesInc.

    产品种类:双极小信号

    RoHS:是

  

目录

概述

    制造商:DiodesInc.

    产品种类:双极小信号

    RoHS:是

    配置:SingleDualCollector

    晶体管极性:NPN

    安装风格:SMD/SMT

    封装/箱体:SOT-223

    集电极—发射极最大电压VCEO:160V

    发射极-基极电压VEBO:6V

    最大直流电集电极电流:0.6A

    功率耗散:1000mW

    最大工作频率:300MHz

    最大工作温度:+150C

    封装:Reel

    DCCollector/BaseGainhfeMin:80at1mAat5V

    最小工作温度:-55C

    StandardPackQty:2500


资料

厂商
Diodes Incorporated

DZT5551-13推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

DZT5551-13资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

DZT5551-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)160V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)200mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 10mA,5V
  • 功率 - 最大1W
  • 频率 - 转换300MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DZT5551DITR