您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DXT5551P5-13

DXT5551P5-13 发布时间 时间:2025/12/26 9:34:10 查看 阅读:37

DXT5551P5-13是一款由Diodes Incorporated生产的NPN型双极性晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的中功率晶体管系列。该器件采用SOT-23(SC-59)小型表面贴装封装,适合在空间受限的高密度印刷电路板上使用。DXT5551P5-13是业界广泛使用的2N5551晶体管的引脚兼容替代型号,具备相似的电气性能,适用于需要较高电压增益和稳定工作特性的模拟与数字电路中。该晶体管设计用于音频信号放大、脉冲放大、开关控制以及前置放大级等应用场景。其结构采用先进的平面外延技术制造,确保了良好的热稳定性和可靠性。DXT5551P5-13在生产过程中符合RoHS环保标准,无铅且符合现代绿色电子产品的制造要求。该器件具有较高的集电极-发射极击穿电压(VCEO),通常可达160V,使其适用于中高压环境下的信号处理任务。此外,该晶体管具有较低的饱和压降和快速的开关响应时间,有助于提升系统效率并减少功耗。由于其优良的频率响应特性,DXT5551P5-13也常被用于宽带放大器和射频前端电路中作为小信号放大元件。

目录

参数

类型:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):160V
  集电极-基极电压(VCB):180V
  发射极-基极电压(VEBO):6V
  集电极电流(IC):600mA
  功率耗散(PD):300mW
  直流电流增益(hFE):80 至 250(典型值)
  过渡频率(fT):100MHz
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23 (SC-59)

DXT5551P5-13推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

DXT5551P5-13参数

  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)160V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)200mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 10mA,5V
  • 功率 - 最大2.25W
  • 频率 - 转换130MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerDI? 5
  • 供应商设备封装PowerDI? 5
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DXT5551P5-13TR