DX10GM-20SE(50)是一种高性能的功率MOSFET模块,专为需要高效率和高可靠性的应用设计。该模块采用了先进的沟槽栅极技术,提供较低的导通电阻和快速的开关特性,适用于各种工业和汽车电子系统。
类型:功率MOSFET模块
最大漏极电流:20A
最大漏源电压:1000V
导通电阻:0.5Ω
封装类型:双列直插式封装(DIP)
工作温度范围:-55°C至150°C
DX10GM-20SE(50)具备低导通电阻和高电流承载能力,使其在高负载条件下仍能保持良好的性能。其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高系统效率。此外,该模块具有良好的热稳定性和耐久性,能够在恶劣的工作环境中长时间运行。其双列直插式封装设计便于安装和散热,适用于高密度电路板布局。
该模块广泛应用于工业电机驱动、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及各种需要高效率功率转换的场合。由于其出色的性能和可靠性,DX10GM-20SE(50)也适用于需要长时间连续运行的工业自动化设备。
IXYS IXGH10N100A3, Infineon FFSP05S10AN