时间：2025/12/28 18:21:20
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IS61C1024AL12TLI是一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM），由Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）制造。该器件的存储容量为1Mbit，组织形式为128K x 8位。该芯片采用了高性能的CMOS工艺制造，具有低功耗和高速访问的特点，适用于各种需要快速数据访问和可靠性的应用环境。
容量：1Mbit（128K x 8）
电源电压：3.3V
访问时间：12ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
数据保持电压：2.0V 至 3.6V
待机电流：最大10mA
工作电流：最大160mA
IS61C1024AL12TLI具备高速访问能力，其访问时间仅为12纳秒，适用于对响应时间要求苛刻的应用。该芯片在CMOS技术基础上设计，实现了低功耗运行，特别适合电池供电或对能耗敏感的设备。其TSOP封装形式有助于减少PCB空间占用并提高可靠性。在工业级温度范围内，该器件能够稳定运行，适用于工业控制、通信设备、网络设备等严苛环境。
此外，IS61C1024AL12TLI支持异步操作，能够与多种主控设备兼容，简化了系统设计。数据保持电压范围宽泛（2.0V至3.6V），使其在电源波动的情况下仍能维持数据完整性。该器件具备高抗噪能力，确保了在电磁干扰较强的环境中仍能可靠工作。
IS61C1024AL12TLI广泛应用于通信设备（如路由器、交换机）、工业控制系统（如PLC、HMI）、网络设备、测试测量仪器以及消费类电子产品中。其高速、低功耗和宽温度范围特性使其成为嵌入式系统、实时控制系统和需要频繁数据读写应用的理想选择。
IS61C1024A-12TLLI, CY62148E, IDT71V128SA
