DWM2F60N120 时间：2025/12/29 14:20:00 阅读：9

DWM2F60N120 是一款高性能的碳化硅（SiC）功率场效应晶体管（MOSFET），专为高电压和高频率应用设计。这款器件采用了先进的碳化硅技术，具有优异的导通和开关性能，适用于工业电源、可再生能源系统、电动汽车充电设备以及高效率电力转换系统。

参数

类型：碳化硅（SiC）MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1200V
　　漏极电流（ID）：60A（Tc=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（最大值）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：TO-247

特性

DWM2F60N120 MOSFET 具有多个显著的性能优势。首先，其高耐压能力达到1200V，能够满足高压系统设计的需求。其次，低导通电阻（RDS(on)）仅为22mΩ，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。此外，该器件具有卓越的开关性能，可以显著减少开关损耗，特别适合用于高频开关电路。碳化硅材料的使用也赋予了该器件更高的热稳定性和更强的抗热失控能力，使其能够在极端温度环境下稳定工作。最后，该器件的封装设计支持高效的热管理和可靠的电气连接，确保了长期工作的稳定性。
　　另一个关键特性是其栅极驱动的兼容性，DWM2F60N120 支持标准的15V栅极驱动电压，同时也具备±20V的栅极电压容限，增强了在异常工作条件下的可靠性。此外，该器件的短路耐受能力强，能够承受一定的过载和瞬态应力，提高了系统的鲁棒性。

应用

DWM2F60N120 主要用于需要高效、高压和高频操作的电力电子系统中。典型的应用包括光伏逆变器、电动汽车车载充电器（OBC）、直流快充桩、工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及各种高效率的DC-DC转换器。由于其优异的性能，该器件特别适合用于需要高功率密度和高可靠性的场合，例如新能源汽车、智能电网设备以及工业自动化控制系统。