时间：2025/6/30 12:25:04
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DW36D-BH-AT-S是一款高性能的表面贴装功率MOSFET器件，采用TO-252(DPAK)封装形式。该元器件适用于多种电源管理应用场合，例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等。其主要功能是通过高速开关操作实现电流控制和电压调节，同时具备低导通电阻的特点以减少功耗。
这款MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管，其内部结构优化了散热性能与电气特性之间的平衡，适合在高频条件下运行。由于其紧凑的设计以及优异的电气参数表现，DW36D-BH-AT-S广泛应用于消费电子、工业自动化及汽车电子领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：34A
导通电阻(Rds(on))：3.8mΩ (典型值，Vgs=10V)
总功耗(Ptot)：21W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
切换频率：高达5MHz
DW36D-BH-AT-S具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻(Rds(on))能够有效降低传导损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力使其非常适合高频电路设计需求。
3. 强大的浪涌电流处理能力确保了器件在负载突变情况下仍能稳定工作。
4. 优化的热性能增强了器件的可靠性，在高功率应用场景下表现尤为突出。
5. 小巧的封装尺寸有助于简化PCB布局并节省空间。
6. 宽泛的工作温度范围使它适应各种恶劣环境下的使用需求。
该芯片适用于以下典型应用：
1. 开关模式电源(SMPS)，包括适配器、充电器等。
2. 各类DC-DC转换器，如降压、升压及反激式拓扑。
3. 电机驱动电路，用于步进电机、直流无刷电机等。
4. 负载开关和保护电路中的电子保险丝。
5. 汽车电子系统，例如电池管理系统(BMS)、车载充电器等。
6. 工业控制设备，如PLC模块、伺服驱动器等。
DW36D-BH-AT-L, IRFZ44N, FDP5500
