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FDS4935A 发布时间 时间:2022/10/9 13:55:37 查看 阅读:616

    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4935A  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -7 A, -30 V, 23 mohm, -10 V, -1.6 V

目录

概述

    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4935A  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -7 A, -30 V, 23 mohm, -10 V, -1.6 V

参数

    额定电压(DC):-30.0 V

    额定电流:-7.00 A

    额定功率:1.6 W

    通道数:2

    针脚数:8

    漏源极电阻:23 mΩ

    极性:P-Channel, Dual P-Channel

    耗散功率:1.6 W

    输入电容:1.23 nF

    栅电荷:15.0 nC

    漏源极电压(Vds):30 V

    漏源击穿电压:30 V

    栅源击穿电压:±20.0 V

    连续漏极电流(Ids):7.00 A

    上升时间:10 ns

    输入电容(Ciss):1233pF @15V(Vds)

    额定功率(Max):900 mW

    下降时间:25 ns

    工作温度(Max):175 ℃

    工作温度(Min):-55 ℃

    耗散功率(Max):2 W

    安装方式:Surface Mount

    引脚数:8

    封装:SOIC-8

    长度:5 mm

    宽度:3.9 mm

    高度:1.5 mm

    封装:SOIC-8

    工作温度:-55℃ ~ 175℃


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FDS4935A参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1233pF @ 15V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS4935ATR