FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4935A 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -7 A, -30 V, 23 mohm, -10 V, -1.6 V
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4935A 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -7 A, -30 V, 23 mohm, -10 V, -1.6 V
额定电压(DC):-30.0 V
额定电流:-7.00 A
额定功率:1.6 W
通道数:2
针脚数:8
漏源极电阻:23 mΩ
极性:P-Channel, Dual P-Channel
耗散功率:1.6 W
输入电容:1.23 nF
栅电荷:15.0 nC
漏源极电压(Vds):30 V
漏源击穿电压:30 V
栅源击穿电压:±20.0 V
连续漏极电流(Ids):7.00 A
上升时间:10 ns
输入电容(Ciss):1233pF @15V(Vds)
额定功率(Max):900 mW
下降时间:25 ns
工作温度(Max):175 ℃
工作温度(Min):-55 ℃
耗散功率(Max):2 W
安装方式:Surface Mount
引脚数:8
封装:SOIC-8
长度:5 mm
宽度:3.9 mm
高度:1.5 mm
封装:SOIC-8
工作温度:-55℃ ~ 175℃