类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A（Tc=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为3.6mΩ（最大值为5.0mΩ，VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：250W（Tc=25℃）
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）

DW360N10的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，从而提高整体效率。此外，该MOSFET具有较高的额定漏源电压（100V），能够在较宽的输入电压范围内稳定工作，适用于多种电源拓扑结构。其高栅极电压容限（±20V）有助于防止栅极击穿，提高系统的可靠性和耐用性。
　　DW360N10的封装设计采用了TO-252（DPAK）封装，这种封装不仅具备良好的热管理性能，还能提供优异的机械稳定性和焊接可靠性，适合高功率密度的应用需求。此外，该器件的连续漏极电流能力高达80A，在高温环境下仍能保持稳定的性能，适合用于高负载条件下的电源转换系统。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高系统的动态响应能力。这对于高频开关电源、同步整流器以及电机控制等应用尤为重要。此外，其高耐热能力（最大工作温度可达175℃）使其能够在恶劣的工作环境中保持长期稳定运行。

DW360N10广泛应用于各种高功率、高效率的电源管理系统中，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和电源分配系统等。由于其具备高电流承载能力和低导通电阻，该MOSFET特别适合用于大功率电源模块、服务器电源、电信设备、工业控制系统和新能源汽车电子系统中。
　　在DC-DC转换器中，DW360N10可作为主功率开关或同步整流器使用，以实现高效的能量转换。在电机驱动系统中，该器件可用于控制电机的启停和速度调节，提供稳定的输出性能。此外，在电池管理系统中，它可以作为负载开关或充放电控制开关，实现对电池状态的精确控制。由于其优异的热管理和高可靠性，DW360N10也常用于高密度电源模块和高功率LED照明系统。

IRF1405、SiR882DP、FDMS8878、FDS4410、IPB095N10N3