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DW09P4N3-S 发布时间 时间:2025/6/5 8:46:22 查看 阅读:6

DW09P4N3-S 是一款高性能的 N 治道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的制程工艺制造,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  该型号属于 DWE 系列 MOSFET,主要面向消费电子、工业控制以及汽车电子市场,支持高频率操作,并且能够在恶劣环境下保持稳定性能。

参数

类型:N 治道 MOSFET
  工作电压(Vds):30V
  连续漏极电流(Id):47A
  导通电阻(Rds(on)):2.6mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷(Qg):48nC(最大值)
  总电容(Ciss):1350pF(典型值)
  反向恢复时间(trr):45ns(典型值)
  封装形式:TO-220FP

特性

DW09P4N3-S 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于减少功率损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频应用场合,如开关电源和 DC-DC 转换器。
  3. 高浪涌电流能力,确保在瞬态条件下可靠运行。
  4. 优秀的热稳定性,即使在高温或大电流工况下也能维持性能。
  5. 小型化封装设计,便于 PCB 布局优化。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

DW09P4N3-S 可用于多种领域和场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC 转换器的同步整流管。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件。
  4. 工业设备中的负载切换开关。
  5. 汽车电子系统中的高边/低边开关。
  6. LED 驱动电路中的电流调节组件。
  其强大的性能和灵活性使其成为上述应用的理想选择。

替代型号

DW09P4N5-S, IRFZ44N, FDP057AN

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