类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：50A
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.022Ω
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（PD）：160W

DTU50N06GCTR具备多个优异特性，使其在高功率应用中表现卓越。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为0.022Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率，同时减少发热，提高整体可靠性。其次，该器件支持高达50A的漏极电流，适用于高负载环境，如电动工具、电源转换器和马达控制电路。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术，提供更好的载流能力和更低的开关损耗，使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。此外，其±20V的栅源电压能力使其在栅极驱动设计中具有更高的灵活性，增强了抗干扰能力。
　　DTU50N06GCTR的TO-252（DPAK）封装不仅体积小巧，便于PCB布局，同时具备良好的散热性能，确保在高功率运行时仍能维持较低的温升。这使其成为汽车电子、工业控制、电源供应器以及消费类电子产品中的理想选择。

DTU50N06GCTR广泛应用于多种功率电子系统中，例如直流电源转换器、电机驱动器、电池管理系统、LED照明驱动电路以及开关电源（SMPS）中的同步整流部分。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统以及电池保护电路。此外，它还可用于工业自动化设备中的高电流开关控制和功率负载管理。由于其良好的热管理和高电流能力，DTU50N06GCTR也适用于需要频繁开关操作的高可靠性系统中，如逆变器和不间断电源（UPS）设备。

IRFZ44N, STP55NF06, FDP50N06, FQP50N06, Si444N