DTS2N7002 时间：2025/7/16 20:04:56 阅读：10

DTS2N7002 是一款由 Diodes Incorporated 生产的双 N 沟道增强型 MOSFET，采用 6 引脚 SOT-363 封装。该器件将两个独立的 N 沟道 MOSFET 集成在一个封装中，适用于需要双通道开关控制的电路应用。该器件基于先进的工艺技术，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，广泛用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器以及信号切换等应用。

参数

类型：双 N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：100 mA（每个通道）
　　漏极-源极电压（VDS）：60 V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：5 Ω（典型值，VGS=10V）
　　功耗（PD）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOT-363（6 引脚）

特性

DTS2N7002 具备多个关键特性，使其在多种电子电路中表现出色。首先，其双 N 沟道 MOSFET 结构设计允许用户在一个封装中实现两个独立的开关控制功能，节省 PCB 空间并简化设计复杂度。其次，该器件的漏极-源极击穿电压高达 60V，适用于中高压开关应用，同时具备良好的抗静电能力，提高了在恶劣环境下的可靠性。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容多种驱动电路设计，包括常见的 5V 和 10V 控制信号。在 VGS=10V 时，RDS(on) 典型值为 5Ω，这使得器件在导通状态下具有较低的功率损耗，有助于提高系统效率。此外，其低输入电容（CISS）和快速开关特性，使其适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和脉宽调制（PWM）控制电路。
　　该器件采用 SOT-363 封装，是一种小型化、低高度的封装形式，适合高密度 PCB 布局。同时，其热稳定性良好，在高负载条件下也能保持稳定的性能表现。此外，DTS2N7002 的制造工艺符合 RoHS 标准，适用于环保电子产品的设计。

应用

DTS2N7002 主要应用于需要双通道 N 沟道 MOSFET 控制的场合。常见的应用包括电源管理系统中的负载开关控制、LED 背光驱动电路、电机控制电路、继电器替代电路以及模拟和数字信号的切换电路。此外，该器件也适用于便携式设备中的电池供电管理、DC-DC 升压或降压转换器，以及各种低功耗逻辑电平控制电路。
　　在汽车电子系统中，DTS2N7002 可用于车身控制模块、照明系统以及传感器接口电路。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够在车载环境中稳定工作。在工业控制领域，该器件可用于 PLC（可编程逻辑控制器）中的输入/输出接口控制，以及自动测试设备（ATE）中的信号路由开关。
　　由于其双 MOSFET 集成特性，DTS2N7002 也常用于 H 桥电机驱动电路、电平转换电路以及 I2C 或 SPI 接口的电平转换器设计中。它能够有效减少外部元件数量，提高系统集成度和可靠性。