时间：2025/4/28 15:38:20
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FS35ND01G-S1Y2 是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高频应用中提供高效率和良好的热性能。
FS35ND01G-S1Y2采用PDFN5x6-8L封装形式，其紧凑的尺寸非常适合空间受限的设计。此型号特别适合消费类电子设备、工业控制和通信设备中的功率管理模块。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：7.6A
导通电阻：4mΩ
总电容：950pF
最大功耗：2.4W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了高效的能量转换和较低的传导损耗。
2. 快速开关能力减少了开关损耗，适用于高频电路设计。
3. 小型PDFN封装提高了功率密度，同时具备优秀的散热性能。
4. 高雪崩击穿能量增强了器件的鲁棒性，适合严苛环境下的应用。
5. 符合RoHS标准，绿色环保设计。
6. 内部栅极电阻优化以改善开关性能。
1. 开关电源中的同步整流器。
2. DC/DC转换器中的高端或低端开关。
3. 消费类电子产品中的负载切换。
4. 电池管理系统中的保护电路。
5. 工业自动化设备中的电机驱动。
6. LED照明系统中的调光控制。
7. USB充电端口的过流保护电路。
FS35ND01G-S1Y1, FS35ND01G-S2Y2, FDN359AN
