DTP06-4S是一种基于MOSFET技术的双向TVS(瞬态电压抑制器)芯片,主要应用于电路的过压保护。该器件具有低电容、快速响应时间以及高浪涌能力的特点,能够有效保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、雷击和其他瞬态电压的影响。
其对称设计使得正向和反向的电压保护特性相同,非常适合用于高速数据线、USB接口、HDMI接口以及其他需要双向保护的应用场景。
工作电压:±6V
击穿电压:±7.5V
最大箝位电压:±12V
峰值脉冲电流:±18A
电容:1.2pF
响应时间:≤1ps
结电容:1.2pF
漏电流:±1μA(@VRWM)
封装形式:SOD-323
DTP06-4S具备极低的电容值,从而减少了对信号完整性的干扰,特别适合于高频信号线路。
其快速响应时间确保了在瞬态事件发生时能够及时有效地保护后端电路。
该器件具有较高的浪涌耐受能力,在面对如ESD冲击等极端情况时能保持稳定性能。
双向对称的设计使其可以灵活应用于各种差分信号线路中,无需考虑方向性问题。
此外,它的小型化封装也便于在紧凑空间内进行布局设计。
DTP06-4S广泛应用于消费类电子产品领域中的接口保护,例如手机、平板电脑、笔记本电脑中的USB接口保护。
在工业控制设备中,可用于保护通信端口免受外部干扰。
此外,还适用于汽车电子系统内的CAN总线、LIN总线等信号线路防护。
也可用作射频模块输入输出端的防护元件。
PESD6V0U1HA, SM6C6G, SMAJ6.0A