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DTM04-6P 发布时间 时间:2025/5/22 20:08:00 查看 阅读:16

DTM04-6P是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用TO-252封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
  DTM04-6P的主要特点是其额定电压为60V,适合中低压应用环境。其优化的沟道设计和先进的制造工艺确保了在高频工作条件下的优异性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:4.1A
  导通电阻:7mΩ
  栅极电荷:13nC
  开关时间:典型值为12ns
  封装形式:TO-252

特性

DTM04-6P具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗。
  2. 高速开关能力,适用于高频开关电路。
  3. 内置ESD保护功能,提高了器件的可靠性。
  4. 小型封装设计,节省PCB空间。
  5. 良好的热性能,有助于散热管理。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。

应用

DTM04-6P主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
  2. DC-DC转换器的核心功率元件。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  4. 电机驱动电路中的功率级控制。
  5. 各种消费类电子产品中的电源管理模块。
  6. 工业控制设备中的信号切换与功率传输。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5580
  AO3400

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