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DTESDB5V0LEC02 发布时间 时间:2025/8/17 1:17:22 查看 阅读:6

DTESDB5V0LEC02是一种低电容双向静电放电(ESD)保护二极管,广泛用于保护敏感电子设备免受静电放电和瞬态电压的损害。该器件采用先进的硅雪崩技术,具有快速响应时间和高可靠性,适用于各种通信接口、便携式电子设备和消费类电子产品。

参数

工作电压:5.0V
  反向关断电压:5.0V
  最大钳位电压:8.0V(在Ipp=1A条件下)
  峰值脉冲电流(Ipp):1A
  漏电流:≤10nA
  电容(典型值):15pF
  响应时间:<1ns
  封装形式:SOD-323
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

DTESDB5V0LEC02的核心特性包括极低的电容值,适用于高速信号线路保护,确保信号完整性不受影响;其双向保护结构可有效吸收正负极性的ESD冲击,提供全方位的保护。该器件具有优异的钳位性能,在遭受ESD或瞬态电压冲击时能够迅速将电压钳制在安全范围内,防止损坏后端电路。此外,该器件的封装体积小巧,便于在空间受限的应用中使用。
  DTESDB5V0LEC02的漏电流极低,在正常工作条件下几乎不会对电路功耗产生影响。其快速响应时间确保在ESD事件发生的瞬间即可启动保护机制,从而最大限度地降低对敏感IC的损害风险。该器件还具备良好的热稳定性和长期可靠性,适用于严苛的工作环境。
  由于其SOD-323封装形式,DTESDB5V0LEC02非常适合用于表面贴装工艺,提高了生产效率并降低了制造成本。该器件在设计上符合IEC 61000-4-2标准,确保其在各类应用中具备优异的ESD防护能力。

应用

DTESDB5V0LEC02常用于USB接口、HDMI接口、以太网端口等高速数据线路的ESD保护;适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子设备;可用于通信模块、工业控制系统和消费类电子产品中的电路保护;也适用于传感器接口、音频/视频信号线路以及各类数字通信端口的静电防护。

替代型号

DTESD5V0SCE02, ESD5V0C02, SMAJ5.0A

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