类型：N沟道MOSFET
　　封装形式：SOT-23
　　连续漏极电流（ID）：100mA（最大值）
　　漏源击穿电压（V(BR)DSS）：50V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：典型值1.2V，最大值1.8V
　　导通电阻（RDS(on)）：小于0.4Ω（当VGS=5V时）
　　输入电容（Ciss）：约90pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　功率耗散（PD）：200mW
　　内置电阻配置：RG1（上拉电阻）约为10kΩ，RG2（下拉电阻）约为10kΩ

DTD114E的最大特点在于其内置偏置电阻的集成设计，这一特性极大地简化了外围电路的需求。传统MOSFET在用于开关应用时通常需要外接栅极驱动电阻或分压网络以确保稳定工作状态，而DTD114E通过将一个10kΩ的上拉电阻和一个10kΩ的下拉电阻集成于芯片内部，实现了对栅极电压的自动控制。这不仅减少了元器件数量和PCB布局复杂性，还提升了系统的可靠性和抗干扰能力。该器件的低阈值电压（VGS(th)）使其能够在低电压逻辑信号（如3.3V或甚至更低）下可靠地导通，非常适合与微控制器、FPGA或其他数字IC直接接口，无需额外的电平转换电路。
　　在电气性能方面，DTD114E具备较低的导通电阻（RDS(on) < 0.4Ω），有助于减小导通损耗，提高能效，尤其适用于电池供电设备中延长续航时间。同时，其快速的开关响应速度使得它可用于高频脉宽调制（PWM）控制场合，例如LED亮度调节或小型电机驱动。器件的SOT-23封装具有良好的散热性能，并可在紧凑空间内实现高密度组装，满足现代消费类电子产品对小型化和轻薄化的要求。
　　从可靠性角度看，DTD114E的工作结温可达+150°C，表明其在高温环境下仍能保持稳定运行，适用于工业控制、汽车电子等严苛环境。此外，内置电阻还能抑制噪声引起的栅极振荡，避免因电磁干扰导致的误触发问题，从而增强系统的稳定性。总体而言，DTD114E凭借其高度集成、低功耗、高可靠性的优势，在各类小型开关应用中展现出卓越的综合性能。

DTD114E常被用于各类低功率开关电路中，特别是在需要节省空间和简化设计的便携式电子设备中表现突出。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的背光LED驱动控制，其中多个DTD114E可并行使用来独立控制不同区域的亮度调节。此外，它也广泛应用于笔记本电脑、数码相机和其他移动设备的电源管理模块中，作为负载开关或电源通断控制元件，实现对特定功能模块的供电启停，以降低待机功耗。
　　在工业自动化领域，DTD114E可用于传感器信号切换、继电器驱动缓冲级以及PLC输入/输出接口的电平转换电路中。其内置电阻设计使其非常适合连接微处理器GPIO引脚，无需额外配置上拉或下拉电阻即可实现稳定的高低电平识别，从而简化嵌入式系统的硬件设计。
　　另外，该器件也可用作模拟开关或数字信号路由选择器，在音频设备、通信模块和数据采集系统中实现信号路径的切换。由于其具备一定的耐压能力和良好的开关特性，DTD114E还可用于DC-DC转换器中的同步整流辅助控制或保护电路中的过流检测开关环节。总之，凡是在低电流、中等电压条件下需要实现高效、可靠且紧凑型开关功能的应用场合，DTD114E都是一个极具竞争力的选择。

[
　　 "DMG1014U,U",
　　 "FMMT214,115",
　　 "MMBT114E",
　　 "KSC114E",
　　 "BST114E"
　　]