DTD113ZUT106
时间:2023/2/25 16:35:16
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制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 数字晶体管
晶体管极性: NPN
概述
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 数字晶体管
晶体管极性: NPN
典型输入电阻器: 1 kOhm
典型电阻器比率: 10
封装 / 箱体: SC-70
直流电流增益 hFE 最小值: 82
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
峰值直流集电极电流: 500 mA
功率耗散: 200 mW
封装: Reel
电流增益带宽 fT: 200 MHz
安装风格: SMD/SMT
DTD113ZUT106推荐供应商
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- DTD113ZUT106
- 深圳市钜麟科技有限公司
- 6000
- ROHM
- 24+/UMT3 (SOT323) (SC70)
-
DTD113ZUT106参数
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 系列-
- 晶体管类型NPN - 预偏压
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
- 电阻器 - 基极 (R1)(欧)1k
- 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)82 @ 50mA,5V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 2.5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大)500nA
- 频率 - 转换200MHz
- 功率 - 最大200mW
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装UMT3
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称DTD113ZUT106-NDDTD113ZUT106TR