时间：2025/12/27 9:02:11
阅读：14
DTD113ZG-AE3-R是一款由ROHM Semiconductor生产的数字晶体管（内置电阻的双极性晶体管），采用SOT-23（SC-59）小型表面贴装封装。该器件集成了一个NPN型双极结型晶体管（BJT），并在其基极和发射极之间内置了两个精密薄膜电阻，分别作为基极限流电阻和下拉电阻。这种集成设计简化了电路布局，减少了外部元件数量，特别适用于需要紧凑设计和高可靠性的便携式电子设备和数字控制接口电路。该晶体管专为低电压、低电流开关应用而优化，广泛用于逻辑电平转换、驱动LED、信号切换、微控制器I/O端口扩展等场景。由于其内置电阻已精确匹配并稳定，避免了分立电阻与晶体管组合时可能出现的参数偏差问题，提高了系统一致性和生产良率。DTD113ZG-AE3-R符合RoHS环保标准，并具有无卤素（Halogen-free）特性，适合现代绿色电子产品制造要求。器件工作温度范围通常为-55°C至+150°C，具备良好的热稳定性与可靠性，适用于工业、消费类及汽车电子等多种环境条件。
类型：NPN数字晶体管
集电极-发射极电压（VCEO）：50V
发射极-基极电压（VEBO）：6V
集电极电流（IC）：100mA
总功耗（Pc）：200mW
内置电阻R1（基极电阻）：47kΩ
内置电阻R2（发射极下拉电阻）：47kΩ
直流电流增益（hFE）：16~32（典型值24）
饱和电压（VCE(sat)）：≤0.25V（IC=5mA, IB=0.25mA）
封装形式：SOT-23（SC-59）
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
DTD113ZG-AE3-R的显著特性之一是其内部集成的双电阻结构，其中R1为连接在基极端的47kΩ限流电阻，用于限制输入电流并保护晶体管免受过大的基极驱动影响；R2为连接在发射极与基极之间的47kΩ下拉电阻，确保在输入信号悬空或未激活状态下，基极保持低电平，防止误触发，从而提升电路的抗干扰能力和稳定性。这种设计使得用户无需外接多个分立电阻，不仅节省PCB空间，还降低了组装成本和潜在故障点。该器件的电阻比（R1/R2）为1:1，适用于通用逻辑开关应用，在微控制器驱动继电器、MOSFET栅极或LED负载时表现出良好的响应特性和开关一致性。
该数字晶体管采用先进的芯片工艺制造，确保了电阻与晶体管之间的高度匹配和长期稳定性。薄膜电阻具有较低的温度系数和老化漂移，能够在宽温度范围内保持电气性能的一致性。晶体管本身的直流电流增益（hFE）范围适中（16~32），结合固定电阻值，可实现可预测的开关行为，便于系统设计人员进行精确的驱动能力计算。此外，其饱和压降VCE(sat)在额定工作条件下低于0.25V，表明其在导通状态下的功耗较低，有助于提高能效，尤其适用于电池供电设备。
DTD113ZG-AE3-R的SOT-23封装具有优良的散热性能和机械强度，支持自动化贴片生产，适用于大规模SMT（表面贴装技术）工艺。器件通过AEC-Q101车规认证的可能性较高（需查证具体批次），因此也可应用于汽车电子中的传感器接口、灯光控制模块等场景。同时，其无铅、无卤素的环保设计符合全球主流环保法规要求，适用于出口型产品和高端消费类电子产品。整体而言，该器件在集成度、可靠性、尺寸和成本之间实现了良好平衡，是替代传统分立晶体管加电阻组合的理想选择。
DTD113ZG-AE3-R广泛应用于各类需要小型化、高可靠性开关功能的电子系统中。常见用途包括微控制器输出端口的信号缓冲与驱动，例如在Arduino、STM32或其他嵌入式平台上用于驱动LED指示灯、蜂鸣器或小功率继电器模块。由于其内置电阻可直接接受来自数字逻辑IC或MCU GPIO引脚的信号，无需额外配置基极限流电阻，极大简化了设计流程，特别适合初学者和快速原型开发。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能手表等，该器件可用于背光控制、按键扫描电路或电源管理模块中的电平切换功能。
在工业控制领域，DTD113ZG-AE3-R可用于PLC输入/输出模块、传感器信号调理电路以及继电器或光耦的驱动级。其稳定的开关特性和抗噪声能力使其在电磁干扰较严重的环境中仍能可靠工作。此外，该器件也常用于电源管理电路中，作为负载开关或使能控制元件，用于开启/关闭特定电源轨以实现节能目的。在汽车电子中，可用于车内照明控制、门锁驱动、仪表盘指示灯等非动力系统应用。由于其体积小巧且性能稳定，也被广泛用于通信设备、网络路由器、IoT节点设备等对空间敏感的应用场景。总之，任何需要将低功率逻辑信号转换为更高驱动能力开关动作的场合，都是DTD113ZG-AE3-R的适用领域。
MMBT3904-F, FMMT211, KSH31, DTD113ZU, DTC114ZCA-K, DTK3113Z
