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DTC614TKT146 发布时间 时间:2025/12/25 11:10:34 查看 阅读:14

DTC614TKT146是一款由ROHM Semiconductor生产的表面贴装晶体管,属于双极结型晶体管(BJT)类别。该器件采用小型SOT-457封装,适用于高密度印刷电路板设计,广泛应用于便携式电子设备和需要节省空间的现代电子产品中。DTC614TKT146是NPN型晶体管,专为开关和放大功能而优化,具备良好的电流增益特性和快速的开关响应能力。该晶体管在设计上注重低功耗与高性能之间的平衡,适合在电池供电设备中使用。其主要特点包括高直流电流增益(hFE)、低饱和电压以及优异的热稳定性。由于采用了先进的半导体制造工艺,DTC614TKT146能够在较宽的温度范围内稳定工作,增强了系统可靠性。此外,该器件符合RoHS环保标准,无铅且不含卤素,满足现代电子产品对环境友好材料的要求。DTC614TKT146常用于电源管理、信号切换、LED驱动、逻辑电平转换以及各种模拟和数字控制电路中。作为一款通用型晶体管,它被广泛集成于消费类电子、工业控制模块、通信设备及汽车电子系统中,提供可靠的电流控制与信号处理能力。

参数

类型:NPN
  封装/外壳:SOT-457
  集电极-发射极电压 (Vceo):50V
  集电极-基极电压 (Vcbo):50V
  发射极-基极电压 (Vebo):6V
  集电极电流 (Ic):100mA
  功耗 (Pd):150mW
  直流电流增益 (hFE):100 ~ 600 (典型值300)
  过渡频率 (fT):250MHz
  最大工作温度:+150°C
  最小工作温度:-55°C
  饱和电压 (Vce(sat)):@ Ic=10mA, Ib=0.5mA 典型值0.1V

特性

DTC614TKT146具有优异的电气性能和稳定的热特性,其核心优势体现在高电流增益和低饱和压降方面。该晶体管的直流电流增益(hFE)范围为100至600,在典型工作条件下可达到约300,这使得它在小信号放大应用中表现出色,能够有效提升输入信号的强度而不引入显著失真。同时,由于其较低的集电极-发射极饱和电压(Vce(sat)),在开关模式下运行时能显著减少导通损耗,提高整体能效,特别适合用于电池供电或对功耗敏感的应用场景。
  该器件的工作频率高达250MHz,使其不仅适用于直流和低频信号控制,还能胜任高频信号处理任务,如射频前端电路中的缓冲级或预驱动级。SOT-457超小型封装不仅节省PCB空间,还具备良好的散热性能,有助于维持长期运行的可靠性。器件的热稳定性经过优化,可在-55°C到+150°C的极端温度范围内保持稳定工作,适应从寒冷户外环境到高温工业现场的广泛应用条件。
  制造工艺方面,DTC614TKT146采用先进的晶圆加工技术和严格的品质控制流程,确保每批次产品具有一致的电学参数和高良率。其无铅、无卤素的设计符合国际环保法规要求,支持绿色电子产品制造。此外,该晶体管具备较强的抗静电能力(ESD protection),在装配和使用过程中更耐受意外放电冲击,提升了生产良率和终端产品的耐用性。总体而言,DTC614TKT146是一款兼具高性能、小型化与环境适应性的理想选择,适用于多种复杂电子系统的需求。

应用

DTC614TKT146广泛应用于各类电子设备中,尤其适合需要小型化和高效能晶体管的场合。常见用途包括便携式消费电子产品中的电源开关控制,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的背光驱动或电源路径管理。在工业控制系统中,它可用于传感器信号调理电路,将微弱的模拟信号进行初步放大以便后续处理。此外,该晶体管也常用于LED照明驱动电路,通过精确控制电流实现亮度调节功能。
  在通信设备中,DTC614TKT146可以作为射频信号的缓冲放大器或逻辑电平转换器,协助不同电压域之间的信号传递。汽车电子领域中,它被用于车身控制模块,如车窗升降器控制、仪表盘指示灯驱动等非动力系统应用。由于其良好的温度适应性和可靠性,也可部署于车载信息娱乐系统或远程无钥匙进入系统的信号接口电路中。
  另外,该器件适用于各类数字逻辑接口电路,例如将微控制器输出信号放大以驱动继电器、蜂鸣器或其他负载。在嵌入式系统和物联网节点设备中,DTC614TKT146常用于低功耗唤醒电路或状态指示控制,帮助实现节能运行模式。其通用性使其成为工程师在原型设计和批量生产中常用的标准化元器件之一。

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DTC614TKT146参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)820 @ 50mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换150MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装3-SMT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC614TKT146TR