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DTC34LM85AMT 发布时间 时间:2025/9/12 12:56:30 查看 阅读:24

DTC34LM85AMT是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由东芝(Toshiba)公司生产。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计,广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等领域。DTC34LM85AMT采用小型SOP(小外形封装)形式,具有良好的热性能和电气性能,适合在紧凑型电子设备中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):60A(在Tc=25℃)
  功耗(Pd):2.5W
  导通电阻(Rds(on)):约4.5mΩ(在Vgs=10V时)
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装类型:SOP-8

特性

DTC34LM85AMT具备低导通电阻特性,使其在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗,提高整体系统效率。
  该MOSFET采用了先进的沟槽式技术,有助于减小器件尺寸并提升电流密度。
  其栅极氧化层设计可承受高达±20V的栅源电压,提高了器件的可靠性和抗干扰能力。
  此外,DTC34LM85AMT具有良好的热稳定性,能够在高温度环境下稳定工作,适用于要求较高的工业和汽车电子应用。
  由于其采用SOP-8封装,不仅节省空间,而且便于自动化装配,适合大规模生产使用。
  该器件还具备快速开关特性,适合用于高频开关电源和同步整流电路,以提高转换效率并减少外围元件数量。

应用

DTC34LM85AMT广泛应用于各种电力电子系统,包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统(BMS)以及汽车电子设备中的功率控制模块。
  在计算机和服务器电源系统中,它常用于VRM(电压调节模块)和POL(负载点)电源转换器,以提供高效的电源管理解决方案。
  此外,该MOSFET还可用于工业自动化设备、智能电表、LED照明驱动器等需要高效能功率开关的场合。
  在新能源领域,如太阳能逆变器和储能系统中,DTC34LM85AMT也具备一定的应用潜力。

替代型号

Si4410BDY-T1-GE3, IRF7413TRPBF, FDS6680, DMC2500LVT

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