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DTC143ZMT2L 发布时间 时间:2025/12/25 10:11:19 查看 阅读:9

DTC143ZMT2L是一款由东芝(Toshiba)生产的表面贴装P沟道数字晶体管(内置电阻型晶体管)。该器件集成了一个P沟道MOSFET和两个内部电阻,通常配置为一个串联基极电阻和一个并联在基极与发射极之间的下拉电阻。这种集成化设计使得DTC143ZMT2L特别适用于需要简化电路设计、减小PCB空间的应用场景。作为数字晶体管,它主要用于逻辑电平转换、信号开关以及驱动小型负载,例如LED、继电器或微控制器接口电路。其SOT-23封装形式具有体积小、热性能良好和易于自动化贴片的特点,适合高密度组装的现代电子产品。由于内置了限流和稳定偏置的电阻网络,DTC143ZMT2L能够直接通过逻辑信号驱动,无需外接额外的偏置元件,从而降低了整体成本并提高了系统的可靠性。此外,该器件具备良好的开关特性,支持快速响应,在低功耗应用中表现出色。

参数

型号:DTC143ZMT2L
  类型:P沟道数字晶体管
  封装:SOT-23
  最大集电极-发射极电压(Vceo):-50V
  最大集电极电流(Ic):-100mA
  最大功耗(Pd):200mW
  内置电阻R1(基极电阻):22kΩ
  内置电阻R2(下拉电阻):22kΩ
  直流电流增益(hFE):典型值70-160(测试条件Ic=-2mA, Vce=-5V)
  开启时间(ton):约0.5μs
  关闭时间(toff):约0.8μs
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

DTC143ZMT2L的显著特性之一是其高度集成的内部电阻结构,其中R1(22kΩ)连接在输入端与晶体管基极之间,起到限制输入电流的作用,防止因过大的驱动电流损坏晶体管;而R2(22kΩ)则并联在基极与发射极之间,作为下拉电阻确保在无输入信号时晶体管可靠关断,避免浮动输入导致的误触发问题。这种设计极大地提升了电路的稳定性与抗干扰能力,尤其在噪声环境较复杂的工业控制或汽车电子系统中表现优异。
  该器件采用P沟道结构,意味着在低电平有效信号下导通,非常适合用于电源侧开关或与微控制器的开漏输出配合使用。其-50V的最大集电极-发射极电压允许其应用于多种中低压直流系统中,包括12V和24V工业控制系统。同时,-100mA的连续集电极电流足以驱动多数中小功率负载,如指示灯LED、小型继电器线圈或光电耦合器输入端。
  DTC143ZMT2L具有优良的开关速度,开启时间约为0.5微秒,关闭时间约为0.8微秒,能够在高频脉冲信号下稳定工作,适用于PWM调光、编码器信号处理等需要快速响应的应用场合。此外,其SOT-23封装不仅节省空间,还具备较好的散热性能,可在高达+150°C的结温下安全运行,满足严苛环境下的长期可靠性要求。
  该器件符合RoHS环保标准,并经过严格的可靠性测试,具备高抗静电能力(HBM模式≥2kV),增强了在实际生产与使用过程中的耐用性。由于其参数一致性好、批次稳定性强,DTC143ZMT2L广泛用于消费类电子、通信设备、家用电器及车载模块中,作为通用型开关元件。

应用

DTC143ZMT2L广泛应用于各类需要小型化、高可靠性和简化设计的电子控制系统中。在消费电子产品中,常用于手机、平板电脑、智能手表等便携式设备中的背光驱动、按键检测和电源管理电路,利用其低静态功耗和快速响应特性实现节能与高效控制。在工业自动化领域,该器件可用于PLC输入输出模块、传感器信号调理电路以及继电器驱动接口,凭借其内置电阻带来的抗噪能力和稳定性,有效提升系统在复杂电磁环境下的运行可靠性。
  在汽车电子方面,DTC143ZMT2L可用于车身控制模块(BCM)、车灯控制单元、空调面板按键识别电路等,支持宽温范围和较高的电压耐受能力使其适应车载电源波动较大的工作条件。此外,在通信设备中,该器件可作为逻辑电平转换器,将微控制器的3.3V或5V信号转换为适合外围器件使用的开关信号,实现不同电压域之间的隔离与驱动。
  由于其封装小巧且易于贴装,DTC143ZMT2L也常见于各种高密度印刷电路板设计中,例如物联网终端节点、无线传感器网络模块和智能家居控制板。在这些应用中,它通常被用来控制状态指示灯、使能电源路径或进行简单的数字信号缓冲。此外,由于其输入阻抗较高且驱动简单,可以直接由MCU GPIO引脚驱动,无需额外的驱动IC,从而降低整体BOM成本并减少设计复杂度。

替代型号

MMBT3906DXV6T1G
  FMMT718TA
  DTC143ZCA

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DTC143ZMT2L参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-723
  • 供应商设备封装VMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC143ZMT2LTR