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DTC143XUAT106 发布时间 时间:2025/6/3 14:47:40 查看 阅读:3

DTC143XUAT106是一款基于硅技术的高压MOSFET芯片,专为高效率开关应用设计。它具有较低的导通电阻和优化的开关性能,适用于各种电源管理场景。该器件采用先进的制造工艺,在确保高性能的同时,还具备出色的可靠性和耐用性。
  这款芯片主要应用于需要高频开关操作以及高效功率转换的场合,例如适配器、充电器、LED驱动器以及其他工业电子设备中。

参数

型号:DTC143XUAT106
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压Vds:650V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  持续漏极电流Id:1.8A
  导通电阻Rds(on):2.8Ω(在Vgs=10V时)
  总功耗Ptot:2W
  工作温度范围:-55℃ to +150℃
  封装形式:TO-277A

特性

DTC143XUAT106采用了增强型沟槽式结构,显著降低了导通电阻,从而减少了功率损耗并提高了整体效率。
  其具备快速开关能力,可以有效降低开关损耗,尤其适合高频应用场景。
  由于该器件能够在较宽的工作温度范围内稳定运行,因此非常适合对环境适应性要求较高的工业级应用。
  此外,DTC143XUAT106具有良好的电气特性和抗干扰能力,能有效防止因过压或过流导致的损坏。
  该产品还通过了多项质量认证,包括AEC-Q101标准测试,证明了其卓越的可靠性和长寿命性能。

应用

DTC143XUAT106广泛应用于各类开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)、电机驱动器、太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的系统中。
  在消费类电子产品领域,它可以用于笔记本电脑适配器、手机快速充电器等设备。
  在工业控制方面,这款MOSFET适用于各种自动化设备中的功率调节模块。
  同时,它也能够胜任汽车电子领域内的电池管理系统(BMS)以及车载充电器等功能组件的设计需求。

替代型号

DTC143XUAJ106, DTC143XUBT106

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DTC143XUAT106参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装UMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC143XUAT106-NDDTC143XUAT106TR