型号：DTC115EUAFRAT106
　　制造商：东芝（Toshiba）
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　封装/包：SC-70（SOT-323）
　　漏源电压（VDS）：50V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100mA（@ VDS=50V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：400mA
　　导通电阻 RDS(on)：最大6.0Ω（@ VGS=5V）；最大8.5Ω（@ VGS=2.5V）
　　阈值电压（Vth）：典型值1.0V，范围0.6V ~ 1.5V
　　输入电容（Ciss）：约12pF（@ VDS=10V）
　　开启时间（Ton）：约15ns
　　关断时间（Toff）：约25ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　功耗（PD）：200mW
　　认证：符合RoHS、无铅、AEC-Q101汽车级认证

DTC115EUAFRAT106具备优异的电气性能和可靠性，其核心优势在于低导通电阻与逻辑电平兼容性的结合。该器件在VGS=5V时，RDS(on)最大仅为6.0Ω，在VGS=2.5V时也仅8.5Ω，这意味着即使在较低的驱动电压下也能保持良好的导通状态，显著降低功耗和发热，提升系统效率。这种特性使其非常适合电池供电设备，如智能手机、可穿戴设备、物联网节点等，能够延长电池寿命并提高能源利用率。其沟道结构采用先进的沟槽技术，增强了载流子迁移率，从而提高了单位面积的电流承载能力。同时，该MOSFET具有快速的开关响应能力，开启时间约为15ns，关断时间约为25ns，确保在高频开关应用中表现出色，减少动态损耗。此外，该器件输入电容低至约12pF，减少了对驱动电路的负载影响，有利于提高系统的响应速度和稳定性。
　　DTC115EUAFRAT106还具备良好的热稳定性和过温耐受能力，其最高工作结温可达+150°C，并支持-55°C至+150°C的宽温工作范围，适用于严苛环境下的长期运行。器件通过AEC-Q101汽车级可靠性认证，表明其在振动、湿度、温度循环等条件下均经过严格测试，确保在车载电子系统中的稳定表现。SC-70封装不仅体积小巧（典型尺寸约2.1mm x 1.3mm x 1.0mm），而且具有良好的散热性能，便于在紧凑空间内实现高密度集成。所有材料均符合RoHS指令且为无铅产品，符合全球环保法规要求。此外，该型号采用卷带包装（Tape and Reel），适合自动化贴片生产，提升了制造效率和一致性。综合来看，DTC115EUAFRAT106是一款高性能、高可靠性的微型MOSFET，适用于多种对空间和能效有严格要求的应用场景。

DTC115EUAFRAT106广泛应用于各类需要小型化、低功耗开关功能的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理开关，例如在智能手机和平板电脑中用于LCD背光控制、摄像头模块供电切换或外设电源启停。由于其逻辑电平兼容性良好，可直接由微控制器I/O口驱动，无需额外电平转换电路，简化了设计复杂度。在工业控制领域，该器件可用于传感器信号通断控制、继电器驱动缓冲级或PLC输入输出模块中的低电流开关单元。在汽车电子方面，得益于其AEC-Q101认证，DTC115EUAFRAT106被广泛用于车身控制系统，如车门锁、车窗升降器、内部照明灯的驱动，以及仪表盘指示灯的控制电路。此外，它也可用于LED驱动电路中作为恒流源的开关元件，特别是在低功率照明应用中表现出高效率和长寿命的特点。在通信设备中，该MOSFET可用于RF模块的偏置电源切换或天线调谐电路中的开关组件。由于其封装尺寸极小，也非常适合用于可穿戴设备、智能卡、医疗监测仪器等对空间极度敏感的产品设计中。总之，任何需要一个小型、高效、可靠的N沟道MOSFET进行低电流开关操作的场合，DTC115EUAFRAT106都是一个理想选择。

DTC124EUAFRAT106,DTC114EUAFRAT106,DMG2304U,MCH3314,FDMS7680,FDC638P