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DTC115EMT2L 发布时间 时间:2025/12/25 11:52:25 查看 阅读:36

DTC115EMT2L是一款由东芝(Toshiba)公司生产的表面贴装小信号晶体管,属于双极结型晶体管(BJT)中的NPN型器件。该晶体管采用SOT-23(SC-89A)小型封装,非常适合在空间受限的便携式电子设备中使用。DTC115EMT2L被设计为数字晶体管,其内部集成了一个基极串联电阻和一个下拉电阻,因此无需外部添加偏置电阻即可直接通过逻辑信号驱动,简化了电路设计并减少了元件数量。这种集成化设计使其广泛应用于开关电路、逻辑电平转换、LED驱动以及各类低功率控制场合。该器件具有良好的开关特性和较高的可靠性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适用于消费类电子产品、通信设备、计算机外围设备以及工业控制模块等场景。DTC115EMT2L符合RoHS环保要求,并支持无铅焊接工艺,满足现代电子产品对环保与可制造性的双重需求。

参数

型号:DTC115EMT2L
  晶体管类型:NPN 数字晶体管(内置电阻)
  封装形式:SOT-23 (SC-89A)
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  集电极电流(IC):100mA
  功耗(Pd):200mW
  基极-发射极电阻(R1):47kΩ
  基极-接地电阻(R2):47kΩ
  直流增益(hFE):典型值70(测试条件IC=2mA)
  开关时间:开启时间(tof)约200ns,关断时间(tr)约50ns
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

DTC115EMT2L的核心优势在于其高度集成的内部电阻结构,使得该器件可以直接由微控制器或其他数字逻辑输出引脚驱动,而无需额外配置基极限流或下拉电阻。这种设计显著降低了PCB布线复杂度,节省了电路板空间,并提高了整体系统的可靠性。该晶体管内部的两个47kΩ电阻分别连接在基极与输入端之间(R1)以及基极与发射极之间(R2),确保在输入信号悬空时基极电位被可靠拉低,防止误触发,增强了抗干扰能力。该器件具备优异的开关响应速度,开启和关断时间均处于纳秒级别,适合用于高频开关应用,如脉冲宽度调制(PWM)控制下的LED亮度调节或小型继电器驱动。由于其最大集电极电流可达100mA,能够有效驱动多种负载,包括小型电磁阀、蜂鸣器、光耦输入端等。同时,50V的集电极-发射极耐压保证了其在大多数低压直流系统中的安全运行。
  DTC115EMT2L采用SOT-23封装,具有良好的热稳定性与机械强度,支持自动贴片装配工艺,适用于大规模自动化生产。该器件经过严格的可靠性测试,可在-55°C至+150°C的结温范围内长期稳定工作,适应严苛的工业环境。此外,它符合AEC-Q101车规级认证标准的部分要求,在汽车电子系统中也有广泛应用潜力,例如车身控制模块、传感器接口电路等。其无铅且符合RoHS指令的设计也体现了绿色环保理念,便于出口及通过各类环保认证。综合来看,DTC115EMT2L是一款功能完善、性能稳定、易于使用的数字晶体管,特别适合追求高集成度与低成本解决方案的设计工程师选用。

应用

DTC115EMT2L主要应用于各种需要简单高效开关控制的电子电路中。在消费类电子产品中,常用于手机、平板电脑、智能手表等设备中的LED背光驱动、按键指示灯控制以及电源管理单元中的负载开关。在微控制器与外围设备之间的接口电路中,该晶体管可作为电平转换器或驱动缓冲级,实现MCU GPIO引脚对较高电压或电流负载的安全控制。在工业控制系统中,可用于PLC输入输出模块中的信号隔离与放大、小型继电器或固态继电器的驱动电路。此外,由于其具备良好的抗噪能力和稳定的偏置特性,也被广泛用于传感器信号调理电路中,例如将传感器输出信号进行整形后传递给ADC或比较器。在通信设备中,可用于音频信号切换、线路选择或多路复用控制。汽车电子领域中,DTC115EMT2L可用于车灯控制、雨刷电机驱动、门锁控制模块以及车载信息娱乐系统的内部逻辑控制。其小型封装和高可靠性使其成为现代紧凑型电子设计的理想选择。

替代型号

MMBT2222A-R2-ND
  FMMT2222TA
  KSP2222A-TB

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DTC115EMT2L参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)100k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)100k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)82 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-723
  • 供应商设备封装VMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC115EMT2LTR