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DTC114YETL 发布时间 时间:2025/12/25 10:10:19 查看 阅读:22

DTC114YETL是一种集成电阻型晶体管(Digital Transistor),由东芝(Toshiba)公司生产。该器件内部集成了一个双极结型晶体管(BJT)和两个内置电阻,分别连接在基极和发射极之间以及基极输入端。这种设计使得DTC114YETL非常适合用于数字开关电路中,能够直接通过逻辑电平驱动而无需外接偏置电阻,从而简化了电路设计并减少了PCB空间占用。该器件采用小型表面贴装封装(如SOT-23或SOT-323),适用于高密度组装的便携式电子设备。DTC114YETL中的‘DTC’代表数字晶体管系列,‘114’表示其特定型号分组,‘Y’通常对应PNP型晶体管极性,‘E’可能指代内部电阻比值或版本标识,‘TL’则表明其为卷带包装形式,适合自动化贴片生产。由于其高度集成化和稳定的工作性能,DTC114YETL广泛应用于移动通信设备、消费类电子产品、电源管理模块及信号控制开关等场景。

参数

类型:PNP
  极性:PNP
  集电极-发射极电压(Vceo):50V
  发射极-基极电压(Veb):6V
  集电极-基极电压(Vcbo):50V
  集电极电流(Ic):100mA
  功耗(Pd):200mW
  截止频率(fT):250MHz
  直流增益(hFE):68~350
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  存储温度范围:-55℃ ~ +150℃
  内部电阻R1(基极限流电阻):2.2kΩ
  内部电阻R2(基极-发射极下拉电阻):2.2kΩ
  封装类型:SOT-323
  安装类型:表面贴装(SMT)
  通道数:单通道
  最大结温:150℃

特性

DTC114YETL的核心优势在于其高度集成的设计结构,内部集成了两个精确匹配的电阻——R1(2.2kΩ)串联于基极端口,起到限流作用;R2(2.2kΩ)连接在基极与发射极之间,作为下拉电阻确保在无输入信号时晶体管可靠截止,防止误触发。这种集成方案极大地提升了电路的稳定性与抗干扰能力,尤其在噪声环境较复杂的系统中表现优异。由于无需外部配置偏置网络,工程师可以显著减少外围元件数量,降低整体成本,并提高系统的可靠性。此外,该器件具有快速开关响应能力,其截止频率高达250MHz,意味着它可以在高频数字信号处理中实现迅速导通与关断,适用于脉宽调制(PWM)、逻辑电平转换和高速开关应用。
  该器件采用SOT-323超小型封装,体积紧凑,非常适合空间受限的应用场合,如智能手机、可穿戴设备、物联网终端等。其热性能良好,在正常工作条件下能有效散热,保证长期运行的稳定性。DTC114YETL的直流电流增益(hFE)范围为68至350,具备良好的放大线性度和一致性,即使在不同批次间也能保持较为稳定的电气特性。同时,该器件支持最大100mA的集电极电流输出,足以驱动小型继电器、LED指示灯或MOSFET栅极等常见负载。工作温度范围覆盖-55℃到+150℃,使其能够在恶劣环境条件下稳定运行,包括工业控制、汽车电子等对温度适应性要求较高的领域。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,满足现代绿色电子制造的需求。

应用

DTC114YETL因其集成化、小型化和高可靠性的特点,被广泛应用于各类电子控制系统中。最常见的用途是作为开关元件,用于控制LED背光、状态指示灯的亮灭,尤其是在手机、平板电脑和智能家居面板中实现低功耗驱动。在电源管理系统中,它可以用来控制电压调节器的使能端(Enable Pin),通过微控制器输出逻辑电平来开启或关闭某个供电支路,从而实现节能待机模式。此外,该器件也常用于逻辑电平转换电路,例如将3.3V或1.8V的MCU输出信号转换为5V或更高电压的控制信号,以兼容不同电压等级的外围设备。
  在电机驱动和继电器控制模块中,DTC114YETL可作为预驱动级,用于放大微弱的控制信号以驱动后续的大功率晶体管或MOSFET。由于其内置下拉电阻,能够有效避免浮空输入导致的误动作,提升系统安全性。在音频信号切换、传感器信号调理、I2C总线缓冲等模拟与数字混合信号路径中,该器件也可发挥电平控制与阻抗匹配的作用。另外,在电池供电设备中,由于其低静态功耗和高效的开关性能,有助于延长设备续航时间。汽车电子中的车身控制模块(BCM)、车载信息娱乐系统、车灯控制单元等也开始采用此类数字晶体管来优化布板布局并提升装配效率。总之,DTC114YETL是一款多功能、高性价比的集成晶体管解决方案,适用于广泛的低压、小电流开关应用场景。

替代型号

MMBT3906, DTC114EE3, DTC124YE, RN1402, FMMT718

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DTC114YETL参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)68 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-75,SOT-416
  • 供应商设备封装EMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC114YETL-NDDTC114YETLTR