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DTC114GKAT146 发布时间 时间:2023/2/25 17:02:02 查看 阅读:218

    制造商: ROHM Semiconductor

    产品种类: 数字晶体管

    晶体管极性: NPN

  

目录

概述

    制造商: ROHM Semiconductor

    产品种类: 数字晶体管

    晶体管极性: NPN

    封装 / 箱体: SC-59

    直流电流增益 hFE 最小值: 30

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V

    集电极连续电流: 100 mA

    功率耗散: 200 mW

    封装: Reel

    电流增益带宽 fT: 250 MHz

    发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

    安装风格: SMD/SMT


资料

厂商
ROHM Semiconductor

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DTC114GKAT146参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装3-SMT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC114GKAT146-NDDTC114GKAT146TR