DTC114GKAT146
时间:2023/2/25 17:02:02
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制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 数字晶体管
晶体管极性: NPN
概述
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 数字晶体管
晶体管极性: NPN
封装 / 箱体: SC-59
直流电流增益 hFE 最小值: 30
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
集电极连续电流: 100 mA
功率耗散: 200 mW
封装: Reel
电流增益带宽 fT: 250 MHz
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
安装风格: SMD/SMT
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DTC114GKAT146参数
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 系列-
- 晶体管类型NPN - 预偏压
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
- 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
- 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 5mA,5V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大)-
- 频率 - 转换250MHz
- 功率 - 最大200mW
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装3-SMT
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称DTC114GKAT146-NDDTC114GKAT146TR