类型：NPN 数字晶体管
　　封装：SOT-323
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：100mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　基极电阻：10kΩ（内置）
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110~800（根据档位）

DTC114EUA 晶体管具有多个显著特性，适用于多种电子设计场景。首先，其内置的基极电阻（通常为 10kΩ）简化了电路设计，减少了外部元件数量，从而提高了系统的可靠性和降低了生产成本。其次，该晶体管的 VCEO 电压达到 50V，具备较强的电压承受能力，适合中等电压环境下的开关控制应用。
　　在性能方面，DTC114EUA 的最大集电极电流为 100mA，足以驱动小型继电器、LED 显示屏、蜂鸣器等常见负载。此外，该晶体管的过渡频率高达 250MHz，具备良好的高频响应能力，可应用于低频至中高频放大电路。
　　由于采用 SOT-323 小型封装，DTC114EUA 非常适合高密度 PCB 布局，广泛应用于便携式设备、消费类电子产品和工业控制系统中。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）也确保了在各种环境条件下的稳定运行。
　　另外，该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽（110~800），并根据不同的增益档位进行分类，使得设计者可以根据具体需求选择合适的产品，从而优化电路性能。

DTC114EUA 广泛应用于多种电子设备和系统中。在消费类电子产品中，它常用于智能手机、平板电脑、便携式音频设备等产品的开关和信号放大电路。在工业控制领域，该晶体管可用于传感器信号调理、小型电机驱动和继电器控制。
　　此外，DTC114EUA 还适用于 LED 驱动电路、低功耗逻辑电路、电源管理系统以及各种小型电子模块的接口控制。其内置基极电阻的设计特别适合于直接由微控制器或逻辑 IC 驱动的应用场景，例如 GPIO 输出扩展、继电器或 LED 的简单开关控制等。
　　由于其良好的高频特性和低功耗特性，DTC114EUA 也常用于 RF 接收器前端放大、低噪声前置放大器等射频电路中。

DTC114ECA、DTC124EUA、DTC114EKA、2N3904、BC817、MMBT3904