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DTC114ESATP 发布时间 时间:2025/12/25 12:45:45 查看 阅读:22

DTC114ESATP是一款由ROHM(罗姆)公司生产的NPN型晶体管,属于其广泛使用的数字晶体管系列。该器件内部集成了一个基极-发射极之间的偏置电阻,使其在许多开关和逻辑电平转换应用中表现出色。这种集成化设计简化了外部电路结构,减少了元件数量,提高了系统的可靠性并降低了整体成本。DTC114ESATP特别适用于需要紧凑型、高效率解决方案的便携式电子设备和消费类电子产品。
  DTC114ESATP采用SOT-23(SC-59)小型表面贴装封装,体积小巧,适合空间受限的应用场景。由于其内置电阻经过精确匹配,能够确保稳定的开关特性,并减少因外部电阻公差带来的性能波动。此外,该器件具有良好的热稳定性和高频响应能力,能够在较宽的温度范围内可靠工作,适用于工业控制、通信模块以及各种逻辑接口电路。
  该晶体管的主要优势在于其“数字”功能——即通过将输入信号直接施加到内部串联的基极限流电阻上即可实现导通或截止状态,无需额外设计复杂的偏置网络。这使得工程师可以快速完成电路设计,缩短开发周期。同时,DTC114ESATP符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,满足现代电子产品对环境友好型组件的要求。

参数

类型:NPN
  集电极-发射极电压(Vceo):50V
  集电极电流(Ic):100mA
  功率耗散(Pd):200mW
  直流增益(hFE):82~120
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:SOT-23(SC-59)
  电阻值R1(基极电阻):47kΩ
  电阻值R2(基极-发射极电阻):47kΩ
  过渡频率(ft):250MHz

特性

DTC114ESATP的核心特性之一是其内置双电阻配置,其中R1为连接在基极端子上的限流电阻(47kΩ),而R2则是连接在基极与发射极之间的下拉电阻(同样为47kΩ)。这种设计有效防止了输入信号悬空时晶体管意外导通的问题,提升了电路稳定性。当输入为高电平时,电流经R1流入基极,使晶体管饱和导通;当输入为低电平或断开时,R2确保基极被可靠拉低至地电位,从而强制晶体管关断。这一机制显著增强了抗干扰能力和噪声抑制性能,尤其适用于长线传输或多噪声环境中。
  该器件具备优良的开关速度表现,典型开启时间(tof)约为20ns,关闭时间(tstg)约为30ns,在高频脉冲信号处理中展现出优异的响应能力。这意味着它不仅能胜任常规的直流开关任务,还能用于高达数百kHz甚至更高频率的PWM调制场合,例如LED亮度调节、电机驱动控制等。同时,250MHz的过渡频率进一步证明了其在射频前端小信号放大方面的潜力,尽管主要用途仍集中在数字开关领域。
  从制造工艺上看,DTC114ESATP采用先进的硅外延平面技术,确保了器件的一致性与长期可靠性。所有参数均在严格的质量控制流程下进行测试筛选,保证批量使用时的互换性。此外,其最大结温可达+150°C,允许在高温环境下持续运行,适用于汽车电子、电源管理单元等严苛工况。SOT-23封装还支持自动化贴片生产,便于大规模PCB组装,提高生产效率。

应用

DTC114ESATP广泛应用于各类需要逻辑电平转换、信号缓冲和小型负载驱动的场合。常见用途包括微控制器输出端口的驱动增强,用于控制继电器、指示灯、蜂鸣器或其他外围设备。由于其输入阻抗适中且开关特性明确,非常适合连接FPGA、DSP或MCU的GPIO引脚,以提升驱动能力而不增加复杂外围电路。
  在便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中,DTC114ESATP常被用作LCD背光控制、电池充电状态指示灯驱动或传感器使能信号切换。其低功耗特性和小型封装非常契合这类产品对空间和能耗的严格要求。此外,在通信模块中,它可以作为UART、I2C总线上的电平移位器,帮助不同电压域之间的信号兼容。
  工业控制系统中也大量采用此类数字晶体管,用于PLC输入/输出模块的信号隔离与放大。在电源管理方面,DTC114ESATP可用于LDO使能控制、DC-DC转换器的启停逻辑判断等。另外,由于其良好的温度适应性,也被应用于车载电子系统,如车灯控制、仪表盘显示驱动等。总之,凡是需要简单、高效、可靠的晶体管开关功能的地方,DTC114ESATP都是一个极具性价比的选择。

替代型号

MMBT3904, DTC114EKA, DTC114EU3, FMMT617

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DTC114ESATP参数

  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)50mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳SC-72 成形引线
  • 供应商设备封装SPT
  • 包装带盒(TB)