类型：NPN双晶体管阵列
　　封装形式：SOT-26 (SC-59)
　　集电极-发射极电压(VCEO)：50V
　　集电极-基极电压(VCBO)：50V
　　发射极-基极电压(VEBO)：6V
　　集电极电流(IC)：100mA
　　集电极功耗(PC)：200mW
　　直流电流增益(hFE)：200 ~ 400 (典型值300)
　　过渡频率(fT)：200MHz
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

DTC113T的核心特性在于其集成化的双NPN晶体管结构，这两个晶体管在同一个硅片上制造，确保了优异的参数匹配性和温度一致性。这种匹配性在差分放大电路中至关重要，能够显著降低失调电压和温漂，提高放大器的共模抑制比（CMRR）。每个晶体管的直流电流增益（hFE）在典型工作条件下可达300左右，且在整个工作电流范围内保持较高的稳定性，适用于需要精确增益控制的模拟信号处理应用。
　　该器件具备200MHz的高过渡频率（fT），意味着其在高频信号放大和高速开关应用中表现出色，可用于射频前端、时钟缓冲和数字信号整形等场景。同时，DTC113T的开关时间较短，上升时间和下降时间均在纳秒级别，适合用于脉冲宽度调制（PWM）驱动、LED调光和逻辑电平转换等快速响应电路。
　　SOT-26封装不仅体积小巧（仅约2.8mm x 1.6mm），还具备良好的散热性能和焊接可靠性，适用于自动化贴片生产流程。该封装引脚兼容标准SC-59布局，便于PCB设计和替换。此外，DTC113T的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，可在极端环境条件下稳定运行，适用于汽车电子、工业控制和户外通信设备等严苛应用场景。
　　由于其低功耗特性和高集成度，DTC113T被广泛用于电池供电设备中，如智能手机、可穿戴设备和平板电脑中的背光驱动、传感器接口和音频输出级。器件的输入阻抗适中，易于与CMOS或TTL逻辑电路接口，无需额外的驱动级即可实现电平匹配。

DTC113T广泛应用于各类需要高集成度和高性能晶体管对的电子系统中。在消费类电子产品中，常用于LCD/OLED显示屏的背光驱动电路，作为恒流源或开关控制元件，实现均匀亮度调节。在音频放大电路中，可用作前置差分输入级或互补输出级的驱动部分，提升音质表现和信噪比。
　　在通信设备中，DTC113T可用于信号调理、阻抗匹配和线路驱动，特别是在低功率无线模块（如蓝牙、ZigBee）中作为射频信号缓冲器或调制解调接口。其高频响应能力使其适合用于时钟分配网络和数据总线驱动器，确保信号完整性。
　　工业控制领域中，该器件常用于光电耦合器的输出级驱动、继电器或MOSFET的栅极驱动电路，以及PLC输入/输出模块中的电平转换和隔离接口。由于其良好的温度稳定性和长期可靠性，也适用于传感器信号放大电路，如温度、压力或光强检测系统。
　　在汽车电子中，DTC113T可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘显示驱动、车灯控制单元和车载信息娱乐系统的电源管理部分。其符合AEC-Q101可靠性标准的部分版本还可用于更严苛的车载环境。此外，在电源管理系统中，可作为误差放大器或反馈控制环路中的增益级，提升稳压精度和动态响应速度。

MMBT3904DW1T1G
　　FMMT617
　　DTC123T
　　DTC143T