时间：2025/7/3 12:09:19
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CBR08C708A1GAC是一款由安森美（onsemi）生产的肖特基二极管阵列，广泛应用于电源保护和电路反向电流防护。该器件采用了小型化的DFN封装形式，具备低正向压降、快速恢复时间以及高浪涌能力等特性，适用于高效能的开关电源设计、电池充电器以及其他便携式电子设备中。
CBR08C708A1GAC内部集成了8个独立的肖特基二极管单元，能够在紧凑的空间内提供多路信号或电源路径保护。其出色的电气性能使其在高频应用场合中表现优异。
额定电压：40V
最大正向电流：2A
正向压降：0.35V@2A
反向漏电流：50μA@25℃
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：DFN-24
引脚间距：0.5mm
尺寸：3x3mm
CBR08C708A1GAC具有以下显著特点：
1. 内部集成8个肖特基二极管，支持多通道保护设计。
2. 超低正向压降，有助于提高系统效率并减少功耗。
3. 快速恢复时间，能够适应高频开关应用需求。
4. 高浪涌能力，可有效应对瞬态过流事件。
5. 小型化封装，适合空间受限的设计场景。
6. 宽工作温度范围，确保器件在极端环境下的稳定性。
CBR08C708A1GAC主要应用于以下领域：
1. 开关电源中的反向电流保护。
2. 多通道电源输入保护设计。
3. 电池充电器中的防反接保护。
4. 数据通信接口的ESD防护。
5. 汽车电子中的负载突降保护。
6. 各类便携式电子设备的高效能电路保护方案。
CBR08C708A1GATC
