时间：2025/7/3 23:09:41
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DTC015TEBTL 是一款基于沟槽技术的 N 沟道功率 MOSFET，适用于高效率和高频开关应用。该器件采用 TO-220 封装形式，能够提供较低的导通电阻和良好的热性能，适合工业、汽车及消费类电子中的多种应用场景。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：8.4A
导通电阻（典型值）：95mΩ
栅极电荷：17nC
开关频率范围：高达 500kHz
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220
DTC015TEBTL 具有低导通电阻，可有效降低传导损耗并提高系统效率。
其沟槽技术设计显著提升了电流密度，同时保持了较高的击穿电压。
该器件具备快速开关能力，非常适合高频工作条件下的应用。
出色的热特性和鲁棒性使其能够在恶劣环境中稳定运行。
此外，该产品符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电路中。
DTC015TEBTL 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器、不间断电源 (UPS) 和 LED 驱动器等领域。
在汽车电子中，它可以用于电池管理系统或车载充电器。
在工业领域，它常被用作开关元件来控制负载或实现高效能量转换。
其高性能表现也使得它成为消费类电子产品如笔记本适配器的理想选择。
DTC015NEBTL, DTC015PEBTL
