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SUD50P06-15L 发布时间 时间:2025/7/10 2:34:50 查看 阅读:9

SUD50P06-15L 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO-263(DPAK)封装。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种电力电子应用中的开关和负载控制。
  该 MOSFET 的额定电压为 60V,最大连续漏极电流可达 50A,适用于高效能要求的电路设计,例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:15mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  总功耗:115W
  结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-263(DPAK)

特性

SUD50P06-15L 提供了非常低的导通电阻 (Rds(on)),这有助于减少传导损耗并提高整体效率。
  其高电流承载能力使其非常适合大功率应用,同时具备快速开关能力,可支持高频工作条件。
  该器件还具有出色的热稳定性和较低的反向恢复电荷 (Qrr),从而进一步优化了开关性能。
  此外,其符合 RoHS 标准,确保环保合规性。
  SUD50P06-15L 的紧凑型封装也有助于节省 PCB 空间,便于设计小型化设备。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)及 DC-DC 转换器
  2. 工业电机驱动与控制
  3. 电池保护及负载开关
  4. LED 驱动器
  5. 汽车电子系统中的负载切换
  6. 通信电源及适配器设计
  由于其高电流处理能力和低导通电阻,SUD50P06-15L 是许多需要高性能功率管理解决方案的理想选择。

替代型号

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP55N06L

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SUD50P06-15L参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压60 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流50 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)15 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252-3
  • 封装Reel
  • 下降时间175 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散136 W
  • 上升时间70 ns
  • 工厂包装数量2000
  • 典型关闭延迟时间175 ns