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DTC014TMT2L 发布时间 时间:2025/5/23 21:13:54 查看 阅读:18

DTC014TMT2L 是一款双通道 NMOS 场效应晶体管 (MOSFET),采用小型化封装设计,适用于高密度电路布局。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提高系统效率。它通常用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域的电源管理与信号切换场景。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:1.5A
  导通电阻(典型值):7mΩ
  总电荷量(Qg):9nC
  开关延迟时间(td(on)):8ns
  存储温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

DTC014TMT2L 的主要特性包括:
  1. 双通道集成设计,节省 PCB 空间。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),减少发热并提升效率。
  3. 快速开关性能,适合高频应用。
  4. 小型化封装(如 DFN 或 MLP),支持紧凑型设计。
  5. 高可靠性和稳定性,适用于多种工作环境。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。

应用

DTC014TMT2L 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的功率开关。
  2. 电池保护电路,用于过流和短路保护。
  3. 电机驱动器中的桥式电路组件。
  4. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
  5. 数据通信接口中的信号切换。
  6. 各类工业控制系统中的精密开关元件。

替代型号

DTC014TMTE2L, DTC014TMT3L

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DTC014TMT2L参数

  • 现有数量1,478现货
  • 价格1 : ¥1.91000剪切带(CT)8,000 : ¥0.30337卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50 V
  • 电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2)-
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 5mA,10V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 500μA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁250 MHz
  • 功率 - 最大值150 mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-723
  • 供应商器件封装VMT3