DTB114EK 时间：2025/12/25 10:48:37 阅读：19

DTB114EK是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道MOSFET晶体管，采用小型表面贴装封装（SOT-23），广泛应用于便携式电子设备和高密度电路板设计中。该器件专为低电压、低电流开关应用而设计，具有优异的开关特性和较低的导通电阻，适合用于电源管理、信号切换、逻辑接口驱动等场景。DTB114EK的最大漏源电压（VDS）为50V，最大连续漏极电流（ID）可达100mA，适用于电池供电系统中的负载开关或LED驱动控制。其栅极阈值电压较低，通常在1V至2.5V之间，因此可以与3.3V或5V逻辑电平直接兼容，无需额外的电平转换电路。此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，能够在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作，满足工业级和消费类电子产品的严苛环境要求。由于其高度集成化的设计和小尺寸封装，DTB114EK在智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类IoT终端中得到了广泛应用。

参数

型号：DTB114EK
　　制造商：ROHM
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　封装类型：SOT-23
　　最大漏源电压（VDS）：50V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：100mA
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：400mA
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值2.8Ω（VGS=5V），最大值4.5Ω（VGS=5V）
　　栅极阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：约120pF（VDS=10V, VGS=0V）
　　反向传输电容（Crss）：约10pF
　　输出电容（Coss）：约60pF
　　开启延迟时间（td(on)）：约15ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约25ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

DTB114EK的核心优势在于其高效的开关性能与紧凑的物理尺寸相结合，使其成为现代微型电子系统中的理想选择。该MOSFET采用了先进的沟槽型栅极工艺技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少功率损耗并提高整体能效。在VGS=5V条件下，其典型RDS(on)仅为2.8Ω，确保在低电压驱动下仍能实现良好的电流导通能力。这一特性特别适用于需要节能设计的便携式设备，例如蓝牙耳机、智能手环和无线传感器节点等。此外，由于其低阈值电压特性（1.0V~2.5V），DTB114EK可以在微控制器输出的GPIO信号直接驱动下可靠地开启，无需外加驱动芯片，简化了电路设计并节省PCB空间。
　　该器件的SOT-23封装不仅体积小巧（仅2.9mm x 1.3mm x 1.1mm），还具备良好的散热性能，能够通过PCB焊盘有效传导热量，避免局部过热导致性能下降。尽管是小信号MOSFET，但其最大漏源电压达到50V，具备一定的耐压裕度，可在瞬态电压波动较大的环境中保持稳定运行。同时，输入电容和反向传输电容较小，有助于降低高频开关过程中的动态损耗，并减少对驱动源的负载影响，提升系统的响应速度。ROHM公司在制造过程中严格遵循AEC-Q101标准进行可靠性测试，确保产品在极端温度循环、湿度和机械应力环境下仍具有出色的长期稳定性。这些综合特性使得DTB114EK不仅适用于常规消费电子，也可用于汽车电子中的辅助照明控制、电机驱动模块和车载信息娱乐系统的电源管理单元。

应用

DTB114EK广泛应用于各类低功耗、小型化的电子系统中，尤其适合作为开关元件用于电源路径控制、负载切换、LED驱动和信号路由等场景。在移动设备中，它常被用作背光灯或摄像头模组的电源开关，利用其低导通电阻和快速响应特性来实现精确的上电时序控制。在物联网终端设备中，该器件可用于Wi-Fi或蓝牙模块的使能控制，通过MCU的I/O引脚对其进行通断操作，以达到节能待机的目的。此外，在工业自动化领域，DTB114EK可作为传感器信号调理电路中的模拟开关，配合比较器或放大器实现通道选择功能。
　　在电池管理系统中，该MOSFET可用于过放电保护电路或充电指示灯驱动，凭借其低静态功耗和高可靠性保障系统安全运行。在汽车电子方面，DTB114EK可用于车内氛围灯调光、门锁控制或仪表盘指示灯驱动等非主动力系统应用。由于其支持逻辑电平直接驱动，因此在嵌入式控制系统中也常用于替代传统双极性晶体管（BJT），以降低基极驱动电流需求并提升开关效率。此外，由于其封装符合RoHS环保标准且不含铅，适用于出口型电子产品和绿色能源项目中的控制电路设计。无论是批量生产的消费类产品还是定制化的小型控制系统，DTB114EK都能提供稳定可靠的性能表现。