型号：IRLR7821C
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大连续漏极电流（Id）：59A
　　导通电阻Rds(on)：3.2mΩ @ Vgs=10V
　　阈值电压Vgs(th)：1V ~ 2.2V
　　栅极电荷Qg：14nC @ Vgs=10V
　　输入电容Ciss：560pF @ Vds=10V
　　反向恢复时间trr：<20ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DirectFET MLP55
　　功率耗散Pd：45W

IRLR7821C具备卓越的导通性能与开关速度，其低至3.2mΩ的导通电阻显著降低了在大电流应用中的导通损耗，从而提升了整体系统效率。该器件采用了先进的沟槽栅极技术和场截止结构，优化了载流子分布，使得在保持高击穿电压的同时实现更低的Rds(on)，这对于电池供电设备或高密度电源模块尤为重要。
　　其14nC的低栅极电荷（Qg）意味着驱动电路所需提供的能量更少，有利于降低驱动损耗并支持更高的开关频率操作，适用于现代高频DC-DC变换器拓扑如同步整流降压转换器。此外，极低的输入电容（Ciss = 560pF）进一步减少了开关过程中的充放电时间，加快了开关响应速度，有助于减小外部滤波元件尺寸，进而缩小整体电源体积。
　　DirectFET? MLP55封装是IRLR7821C的一大亮点，该封装通过顶部散热设计实现了极佳的热管理能力，热阻RθJA仅为45°C/W，允许器件在高功率密度环境下长时间可靠运行。同时，封装本身的低寄生电感有效抑制了开关瞬态过程中的电压尖峰和振荡，提高了系统的电磁兼容性（EMI）表现。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力，能够在意外过压或电感负载突变情况下承受一定的能量冲击而不损坏，增强了系统鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（最高可达+150°C）使其适用于工业级和汽车级应用场景。此外，器件符合RoHS指令要求，不含铅等有害物质，满足现代电子产品绿色环保的设计趋势。

IRLR7821C主要应用于高性能电源管理系统中，典型使用场景包括笔记本电脑和超极本中的多相降压变换器，用于为CPU、GPU等核心处理器提供精确而高效的电压调节。它也广泛用于服务器主板上的VRM（电压调节模块），因其低Rds(on)和高电流处理能力，能够满足现代多核处理器对动态负载响应和能效的严苛要求。
　　在通信基础设施领域，该器件可用于基站电源、网络交换机和路由器中的DC-DC中间总线转换器，支持高密度集成和高效能量传输。此外，在便携式消费类电子产品如平板电脑、移动电源及USB PD快充适配器中，IRLR7821C凭借其小型化封装和优异热性能，成为理想的功率开关选择。
　　工业控制方面，该MOSFET可用于电机驱动电路、LED驱动电源以及工业传感器供电模块，尤其适合空间受限但需维持高效率的应用。在汽车电子中，虽然其20V额定电压限制了在主驱系统中的使用，但仍可应用于车载信息娱乐系统、ADAS辅助电源轨或车身控制模块中的低压DC-DC转换电路。
　　此外，由于其快速开关特性和良好热管理能力，IRLR7821C也被用于同步整流拓扑中，替代传统肖特基二极管以降低正向压降和传导损耗，提升转换效率，特别是在低输出电压（如1.8V、1.2V甚至0.8V）的大电流电源设计中表现出色。

IRLHS7821PbF
　　SiR862DP
　　AOZ5221NQI