时间：2025/5/22 15:03:05
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DTA143TU3T106 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动以及各类需要高效能功率控制的场景。该芯片采用先进的制程工艺制造，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统的效率和稳定性。
DTA143TU3T106 属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有较高的电流承载能力以及出色的热性能表现，使其成为许多高功率应用的理想选择。
型号：DTA143TU3T106
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极电压(Vds)：100V
连续漏极电流(Id)：80A
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ (典型值，@Vgs=10V)
总功耗(Ptot)：250W
工作温度范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度，支持高频应用，同时降低开关损耗。
3. 高电流承载能力，适合高功率密度设计。
4. 具备优异的热性能，可确保在高温环境下长期稳定运行。
5. 内置防静电保护功能，增强了器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保设计。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 直流电机驱动及控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换设备。
4. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
5. 电动汽车充电模块和电池管理系统（BMS）。
6. 各类大功率电源管理解决方案。
IRF840
STP100N10
FDP150AN10
