AVLC10S01005是一款基于GaN(氮化镓)技术的功率晶体管,专为高频、高效的应用场景设计。该器件采用先进的封装工艺,能够显著提高系统的效率和功率密度,同时减少整体尺寸和重量。其主要应用于快速充电器、DC-DC转换器以及其它高频率开关应用中。
型号:AVLC10S01005
类型:GaN 功率晶体管
最大漏源电压(Vds):650V
导通电阻(Rds(on)):100mΩ
栅极电荷(Qg):30nC
连续漏极电流(Id):10A
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
AVLC10S01005采用了增强型氮化镓场效应晶体管技术,具有以下特点:
1. 高开关速度:由于GaN材料的电子迁移率较高,使得该器件能够在MHz级频率下运行。
2. 极低的导通电阻:在相同电压等级下,相比传统硅基MOSFET,GaN器件的导通电阻更低,从而降低传导损耗。
3. 减少寄生电感:优化的芯片布局和封装设计有效降低了寄生电感,提高了高频性能。
4. 热性能优异:具备良好的散热特性,可确保长时间稳定运行。
5. 易于驱动:较低的栅极电荷要求简化了驱动电路设计,并减少了驱动功耗。
此外,该器件还集成了过流保护和热关断功能,增强了系统的可靠性。
AVLC10S01005适用于多种高频功率转换场景,包括但不限于:
1. 快速充电器:支持USB-PD协议的便携式设备充电解决方案。
2. DC-DC转换器:用于服务器、通信设备及工业电源中的高效能量转换。
3. LED驱动器:提供更高效率的照明系统。
4. 无线充电发射端:提升无线充电效率的同时减小体积。
5. 其他高频率开关应用:如太阳能微型逆变器等。
AVLC10S01007