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AVLC10S01005 发布时间 时间:2025/7/4 19:00:41 查看 阅读:11

AVLC10S01005是一款基于GaN(氮化镓)技术的功率晶体管,专为高频、高效的应用场景设计。该器件采用先进的封装工艺,能够显著提高系统的效率和功率密度,同时减少整体尺寸和重量。其主要应用于快速充电器、DC-DC转换器以及其它高频率开关应用中。

参数

型号:AVLC10S01005
  类型:GaN 功率晶体管
  最大漏源电压(Vds):650V
  导通电阻(Rds(on)):100mΩ
  栅极电荷(Qg):30nC
  连续漏极电流(Id):10A
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

AVLC10S01005采用了增强型氮化镓场效应晶体管技术,具有以下特点:
  1. 高开关速度:由于GaN材料的电子迁移率较高,使得该器件能够在MHz级频率下运行。
  2. 极低的导通电阻:在相同电压等级下,相比传统硅基MOSFET,GaN器件的导通电阻更低,从而降低传导损耗。
  3. 减少寄生电感:优化的芯片布局和封装设计有效降低了寄生电感,提高了高频性能。
  4. 热性能优异:具备良好的散热特性,可确保长时间稳定运行。
  5. 易于驱动:较低的栅极电荷要求简化了驱动电路设计,并减少了驱动功耗。
  此外,该器件还集成了过流保护和热关断功能,增强了系统的可靠性。

应用

AVLC10S01005适用于多种高频功率转换场景,包括但不限于:
  1. 快速充电器:支持USB-PD协议的便携式设备充电解决方案。
  2. DC-DC转换器:用于服务器、通信设备及工业电源中的高效能量转换。
  3. LED驱动器:提供更高效率的照明系统。
  4. 无线充电发射端:提升无线充电效率的同时减小体积。
  5. 其他高频率开关应用:如太阳能微型逆变器等。

替代型号

AVLC10S01007

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