SKN141F12是一种N沟道增强型功率MOSFET,由东芝(Toshiba)生产,适用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流能力,适合用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等应用。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):1200V
栅极-源极电压(Vgs):±30V
漏极连续电流(Id):1.4A
导通电阻(Rds(on)):约2.5Ω(典型值)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220
SKN141F12是一款专为高电压和高效率应用设计的功率MOSFET。它采用了先进的沟槽技术,使得导通电阻更低,从而减少了导通损耗,提高了整体效率。该器件的高耐压能力(1200V)使其适用于高电压电源系统,如工业电源、太阳能逆变器和电动工具等。此外,SKN141F12的封装设计具有良好的散热性能,能够有效降低器件的温度,提高可靠性和寿命。该MOSFET的栅极驱动简单,适合高频开关应用,减少了开关损耗并提高了系统效率。其高电流能力(1.4A)和坚固的结构设计使其能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
SKN141F12主要用于高电压、中等功率的应用场合,如电源适配器、充电器、电机驱动、DC-DC转换器、UPS系统、太阳能逆变器以及各种工业控制设备。由于其优异的导通性能和高可靠性,该器件也常用于需要高效能和稳定性的电子产品中。
TK15A60D, 2SK2141, 2SK1761, SKN140F12