时间：2025/8/23 17:24:57
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SKN141F12是一种N沟道增强型功率MOSFET，由东芝（Toshiba）生产，适用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流能力，适合用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：1200V
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
漏极连续电流（Id）：1.4A
导通电阻（Rds(on)）：约2.5Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
SKN141F12是一款专为高电压和高效率应用设计的功率MOSFET。它采用了先进的沟槽技术，使得导通电阻更低，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。该器件的高耐压能力（1200V）使其适用于高电压电源系统，如工业电源、太阳能逆变器和电动工具等。此外，SKN141F12的封装设计具有良好的散热性能，能够有效降低器件的温度，提高可靠性和寿命。该MOSFET的栅极驱动简单，适合高频开关应用，减少了开关损耗并提高了系统效率。其高电流能力（1.4A）和坚固的结构设计使其能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
SKN141F12主要用于高电压、中等功率的应用场合，如电源适配器、充电器、电机驱动、DC-DC转换器、UPS系统、太阳能逆变器以及各种工业控制设备。由于其优异的导通性能和高可靠性，该器件也常用于需要高效能和稳定性的电子产品中。
TK15A60D, 2SK2141, 2SK1761, SKN140F12
