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DTA143TETL 发布时间 时间:2025/12/25 11:53:33 查看 阅读:11

DTA143TETL是一款由东芝(Toshiba)公司生产的NPN型双极性晶体管(BJT),采用小型表面贴装封装(S-Mini, SOT-782)。该器件属于内置偏置电阻的晶体管(Digital Transistor)系列,特别设计用于简化数字开关电路的应用。其内部集成了一个基极串联电阻和一个基极-发射极之间的下拉电阻,这种结构使得它可以直接由逻辑电平信号驱动,无需外部额外的限流或偏置电阻,从而节省PCB空间并降低整体系统成本。
  DTA143TETL中的型号编码具有特定含义:'DTA'代表东芝的NPN数字晶体管系列;'143'表示该器件的电阻比值为R1/R2=47kΩ/47kΩ;'TE'表示其封装形式为SOT-782;'TL'则指代卷带包装,适用于自动化贴片生产流程。该器件广泛应用于便携式消费类电子产品、通信设备、电源管理模块以及各类逻辑接口和驱动电路中。
  由于其高度集成的设计特点,DTA143TETL在上电时能够确保基极处于确定的低电平状态(得益于内部下拉电阻),避免了因悬空输入导致的误触发问题,提高了系统的可靠性和抗干扰能力。此外,该器件符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子制造要求。

参数

类型:NPN数字晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  集电极电流(IC):100mA
  功耗(PD):200mW
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  存储温度范围:-55℃ ~ +150℃
  基极-集电极内建电阻(R1):47kΩ
  基极-发射极内建电阻(R2):47kΩ
  电流增益(hFE):典型值68(测量条件IC=2mA)
  饱和电压(VCE(sat)):最大值0.3V(IC=5mA, IB=0.1mA)
  过渡频率(fT):250MHz(典型值,IC=1mA)
  封装类型:S-Mini (SOT-782)

特性

DTA143TETL的核心优势在于其内置双电阻结构,其中基极限流电阻R1为47kΩ,基极-发射极下拉电阻R2也为47kΩ。这一对称电阻配置使得该器件在接收到高电平时,可通过R1限制流入基极的电流,防止过驱动;而在输入信号断开或为低电平时,R2能迅速将基极电位拉低至地,有效抑制噪声干扰和寄生振荡。这种设计显著提升了电路的稳定性,尤其适合长时间运行的嵌入式系统和电池供电设备。
  该器件的开关性能优异,具备较快的开启和关断速度,适用于中高频数字信号处理场景。其典型的过渡频率fT达到250MHz,表明其在高频应用中仍能保持良好的增益响应。同时,在小信号放大和开关模式下均表现出稳定的电气特性。饱和导通状态下,集电极-发射极电压降非常低(通常小于0.3V),有助于减少功率损耗,提高能效。
  热性能方面,SOT-782封装虽然体积小巧,但通过优化引脚布局和内部结构设计,实现了较好的散热能力,能够在有限的空间内承受一定的功耗负载。该器件的工作结温最高可达+150°C,适用于严苛环境下的工业控制与汽车电子应用。此外,所有材料均符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准,增强了其在车载传感器、LED驱动和ECU模块中的适用性。
  制造工艺上,DTA143TETL采用先进的芯片微缩技术和精确的薄膜电阻沉积工艺,确保了电阻值的高度一致性与长期稳定性。整个生产过程遵循严格的品质管理体系,保证每批产品都具有可重复性和高良率。此外,该器件支持自动拾取和放置设备进行高速贴装,适应现代SMT生产线的需求,大幅提升了组装效率和产品一致性。

应用

DTA143TETL常用于各种需要逻辑电平转换和信号放大的场合。例如,在微控制器与外围设备之间作为接口驱动元件,实现GPIO引脚对继电器、LED、蜂鸣器或其他负载的有效控制。由于其内置偏置网络,可直接连接3.3V或5V逻辑输出,无需额外设计复杂的驱动电路,极大简化了系统设计流程。
  在移动设备中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,DTA143TETL被广泛用于背光调节、按键扫描、电源使能控制等低功耗开关应用。其小型化封装非常适合高密度布局,有助于缩小整机尺寸。此外,在电源管理系统中,可用于MOSFET栅极驱动或负载开关控制,实现高效的电源通断管理。
  在工业自动化领域,该器件可用于PLC输入输出模块、传感器信号调理电路以及继电器驱动电路中。其良好的抗噪能力和稳定的工作特性使其在电磁干扰较强的环境中依然可靠运行。另外,在通信设备中,也可用于信号路由切换、线路驱动和电平移位等功能。
  由于其符合环保法规且支持无铅回流焊工艺,DTA143TETL也适用于出口导向型电子产品和医疗电子设备,满足全球市场的合规性要求。无论是消费类还是工业级应用,该器件都能提供可靠的开关性能和长久的使用寿命。

替代型号

MMBT3904LT1G
  BC847BCT-F
  FMMT403TA
  KSC1845YBU

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DTA143TETL参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-75,SOT-416
  • 供应商设备封装EMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTA143TETL-NDDTA143TETLTR