时间：2025/11/8 2:25:20
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DTA114WUAT106是一款由ROHM（罗姆）公司生产的双通道P沟道MOSFET晶体管阵列，广泛应用于便携式电子设备和高密度PCB设计中。该器件集成了两个独立的P沟道MOSFET，采用先进的TUMT6封装技术，具有极小的体积和优良的热性能，非常适合空间受限的应用场景。每个MOSFET都经过优化，能够在低电压下实现高效的开关操作，支持电池供电系统的节能运行。DTA114WUAT106在设计上注重功耗控制与可靠性，具备良好的抗静电能力和温度稳定性，适用于需要长时间稳定工作的电子产品。
这款器件的主要优势在于其高集成度和小型化封装，能够在不牺牲性能的前提下显著减少电路板占用面积。此外，它还具有较低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低功率损耗并提高系统效率。由于采用了先进的制造工艺，DTA114WUAT106在高频开关应用中表现出色，能够有效减少电磁干扰（EMI）。该产品常用于电源管理、信号切换、负载开关以及LED驱动等场合，是现代消费类电子、通信设备和工业控制系统中的关键元件之一。
型号：DTA114WUAT106
类型：双P沟道MOSFET
封装：TUMT6
通道数：2
漏源电压(VDSS)：-50V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：-100mA
脉冲漏极电流(ID_pulse)：-400mA
导通电阻(RDS(on))：1.1Ω（最大值，VGS = -5V）
阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
热阻(θJA)：350°C/W
热阻(θJC)：90°C/W
极性：P沟道
输入电容(Ciss)：13pF
输出电容(Coss)：5pF
反向传输电容(Crss)：0.8pF
开启时间(Td(on))：5ns
关断时间(Td(off))：15ns
DTA114WUAT106的两个P沟道MOSFET在结构上完全对称，确保了通道间的一致性和匹配性，这对于需要精确控制或平衡负载的应用至关重要。每个MOSFET均经过严格筛选和测试，保证在不同工作条件下都能保持稳定的电气特性。其低阈值电压设计使得器件可以在较低的栅极驱动电压下可靠开启，特别适合3.3V或5V逻辑电平直接驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了成本。这种特性在电池供电设备中尤为重要，因为它有助于延长电池寿命并提升整体能效。
该器件的TUMT6封装不仅尺寸紧凑（典型尺寸约为1.0mm x 1.0mm x 0.4mm），而且具有优异的散热性能，能够在有限的空间内有效散发热量，防止因过热导致的性能下降或损坏。封装材料符合RoHS环保标准，并具备良好的耐湿性和机械强度，适用于回流焊和波峰焊等多种装配工艺。此外，DTA114WUAT106内部未集成内置保护二极管，因此在感性负载或存在反向电流风险的应用中需外接续流二极管以防止电压反冲损坏器件。
MOSFET的开关速度经过优化，在高频操作下仍能保持较低的开关损耗，适用于高达数百kHz的PWM调光或电源转换应用。其输入电容和输出电容较小，减少了栅极驱动所需的能量，进一步提升了动态响应能力。同时，较低的反向传输电容（Crss）有助于抑制米勒效应，避免在高速开关过程中出现意外导通现象，提高了系统的稳定性和抗干扰能力。这些特性使其成为便携式音频设备、智能手机背光控制、小型显示屏驱动及传感器模块的理想选择。
DTA114WUAT106广泛应用于各类需要小型化、低功耗和高可靠性开关功能的电子系统中。常见用途包括移动设备中的LCD/OLED背光亮度调节电路，作为PWM信号驱动的开关元件，精确控制LED电流以实现平滑调光效果。在电源管理系统中，它可用于电池供电设备的负载开关，通过微控制器信号控制特定模块的供电状态，实现节能待机或按需唤醒功能。此外，该器件也适用于各种信号路由和多路复用场景，如音频信号切换、数据线选通控制等，利用其低导通电阻和快速响应特性确保信号完整性。
在工业自动化和测量仪器领域，DTA114WUAT106可用于传感器接口电路中，作为敏感元件的供电开关或信号调理单元的一部分，帮助减少待机功耗并提高测量精度。由于其良好的温度稳定性和抗干扰能力，也可用于汽车电子中的非动力总成相关模块，例如车内照明控制、信息娱乐系统电源管理等。在物联网（IoT）设备中，该器件支持低功耗蓝牙（BLE）、Wi-Fi模块或其他无线通信单元的电源门控，助力实现超低静态电流设计，满足长时间运行的需求。此外，它还可用于小型电机驱动、继电器驱动缓冲级以及DC-DC转换器中的同步整流辅助控制等场合，展现出了广泛的适用性与灵活性。
DMG2302UK-7
SI2302CDS-T1-E3
FDC6322P
