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DTA114TKAT146 发布时间 时间:2025/12/25 10:21:31 查看 阅读:12

DTA114TKAT146是一款由ROHM(罗姆)公司生产的双极性晶体管(BJT),属于数字晶体管系列。该器件集成了一个内置的基极-发射极电阻,通常用于开关和放大应用。DTA114TKAT146中的“DTA”代表PNP型晶体管,“114”为产品系列编号,而“T”表示小型表面贴装封装(如SOT-23)。该器件广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路、逻辑接口以及各类低功率信号控制场合。由于其内部集成电阻的设计,可以有效减少外部元件数量,简化电路设计,并提高系统的可靠性与稳定性。此外,该器件具有良好的热稳定性和快速的开关响应能力,适合在紧凑型高密度PCB布局中使用。其工作温度范围通常覆盖工业级标准,适用于多种环境条件下的稳定运行。

参数

类型:PNP数字晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  集电极电流(IC):-100mA
  功耗(Pd):200mW
  直流电流增益(hFE):68,000 ~ 200,000(典型值)
  内置电阻:R1(基极电阻)= 47kΩ,R2(基极-发射极下拉电阻)= 47kΩ
  增益等级:按规格分档
  封装类型:SOT-23(SC-59)
  工作结温范围:-55°C ~ +150°C
  存储温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

DTA114TKAT146作为一款集成电阻型PNP晶体管,具备多项优异的技术特性,使其在现代电子系统中广泛应用。首先,其内置的两个片上电阻(R1和R2)极大地简化了外围电路设计。R1连接在基极端子与晶体管基极之间,用于限制输入电流并实现电压驱动兼容性;R2则跨接于基极与发射极之间,起到下拉作用,确保在无输入信号时晶体管可靠截止,防止误触发。这种结构特别适用于微控制器输出驱动、逻辑电平转换和噪声敏感环境。
  其次,该器件具有非常高的直流电流增益(hFE),标称范围为68,000至200,000,这使得即使在极小的基极驱动电流下也能实现充分的集电极电流导通,从而显著降低驱动电路的负载压力。这一特性尤其有利于电池供电设备或需要节能设计的应用场景。
  再者,DTA114TKAT146采用SOT-23小型表面贴装封装,体积小巧,便于自动化贴片生产,同时具备良好的散热性能和机械强度。该封装符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色制造要求。
  此外,器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C,可在恶劣环境条件下保持稳定的电气性能,适用于工业控制、汽车电子等对可靠性要求较高的领域。其最大集电极电流为-100mA,集电极-发射极耐压达50V,能够满足大多数低压开关电路的需求。
  最后,得益于ROHM公司在半导体制造方面的先进工艺,该晶体管具有高度一致性和长期可靠性,批次间参数波动小,适合大批量生产使用。整体而言,DTA114TKAT146是一款高性能、高集成度的数字晶体管解决方案,兼顾功能性与成本效益。

应用

DTA114TKAT146主要用于各类低功率开关和信号控制电路中。常见应用场景包括便携式消费类电子产品中的LED驱动电路,利用其高增益和内置电阻特性,可直接由微控制器I/O口控制LED亮灭,无需额外增加限流或下拉电阻,节省PCB空间并降低成本。此外,在电源管理模块中,该器件可用于实现负载开关或待机模式控制,通过切断非必要支路的供电来延长电池寿命。
  在逻辑接口电路中,DTA114TKAT146常被用来进行电平转换或反相操作,例如将3.3V逻辑信号转换为5V系统可识别的电平,或者作为反相器使用。由于其输入阻抗较高且响应速度快,能有效提升系统通信的稳定性与兼容性。
  该器件也广泛应用于传感器信号调理电路中,作为缓冲或驱动级使用。例如,在温度、光强或接近传感器输出端接入该晶体管,可增强信号驱动能力,避免主控芯片输入端受到干扰。
  在汽车电子领域,DTA114TKAT146可用于车身控制模块中的灯光控制、蜂鸣器驱动或继电器驱动接口,其宽温特性和高可靠性确保在车载复杂电磁环境中稳定运行。
  此外,它还可用于小型家电、智能家居设备、无线通信模块等产品的控制回路中,执行开关动作或状态指示功能。总之,凡是需要小型化、低功耗、高可靠性的晶体管开关设计,DTA114TKAT146都是一个理想选择。

替代型号

MMBT3906, DTA114EE, DTA124EK, KSP2907A, BC857B

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DTA114TKAT146参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 1mA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装3-SMT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTA114TKAT146TR